前言：
CMP抛光垫是半导体化学机械抛光工艺中的核心耗材，承担着存储输送抛光液、去除磨削副产物、维持抛光环境稳定等多重功能，其材质结构与表面特性直接决定晶圆平坦化的效率和表面质量。近年来，随着中芯国际、华虹半导体、晶合集成等本土晶圆厂产能持续扩张，以及长江存储、长鑫存储等存储厂商的产线爬坡，国内CMP抛光垫市场需求基石不断夯实；与此同时，先进制程向7nm及以下节点演进带来CMP步骤成倍增加，先进封装技术的兴起也为行业创造了额外的增量空间。
在市场需求与技术演进的双轮驱动下，中国CMP抛光垫市场规模已从2020年的约10亿元增长至2024年的23亿元，并预计2025年将进一步扩容至29亿元左右。从竞争格局来看，当前市场仍由美国杜邦等海外巨头高度垄断，全球前四大供应商合计市场份额超过90%；但以鼎龙股份为代表的本土企业正加速突围，通过全品类产品布局和规模化产能扩张，逐步切入主流晶圆厂供应链，国产化替代进程有望迎来历史性窗口期。
1、CMP抛光垫是实现平坦化抛光的核心要件之一
根据观研报告网发布的《中国CMP抛光垫行业现状深度分析与发展前景预测报告（2026-2033年）》显示，在晶圆进行化学机械抛光过程中，CMP抛光垫的作用主要有：存储CMP抛光液及输送 CMP 抛光液至抛光区域，使抛光持续均匀的进行，之后去除所需的机械负荷，并将抛光过程中产生的副产品（氧化产物、抛光碎屑等）带出抛光区域，形成一定厚度的CMP抛光液层，为抛光过程中化学反应和机械去除提供场所。CMP抛光垫通过影响抛光液的流动和分布，决定抛光效率和表面平坦性，对实现晶圆平坦化至关重要。
抛光垫按照材质结构分类
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分类标准 |
分类名称 |
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按是否含有磨料 |
磨料抛光垫 |
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无磨料抛光垫 |
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按基材 |
聚氨酯抛光垫 |
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无纺布抛光垫 |
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复合型抛光垫 |
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按表面结构 |
平面型抛光垫 |
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网格型抛光垫 |
资料来源：观研天下整理
抛光材料考量标准
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标准 |
解释说明 |
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平均磨除率 |
在标准时间内磨除材料的厚度 |
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平整度和均匀性 |
平整度是硅片某处CMP前后台阶高度之差占CMP前台阶高度的百分比 |
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选择比 |
对不同材料的抛光速率是影响硅片平整度和均匀性的重要因素 |
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表面缺陷 |
CMP工艺造成的硅片表面缺陷包括擦伤或沟、凹陷、侵蚀、残留物和颗粒污染 |
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设备过程变量 |
作用压力、硅片和CMP抛光垫之间的相对速度、抛光时间、抛光区域温度及分布 |
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硅片 |
表面应力分布、图案密度、形状 |
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CMP抛光液 |
化学性质、成分、PH值、粘度、温度、供给速度、磨粒尺寸、分布、硬度、形状 |
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CMP抛光垫 |
材料、密度、物理化学性质、硬度、厚度、粗糙度、结构、表面形态、稳定性 |
资料来源：观研天下整理
2、晶圆产能扩张，奠定CMP抛光垫市场需求基石
晶圆产能扩张是驱动CMP抛光垫市场增长的最根本、最直接的动力。CMP抛光垫作为消耗品，其需求量与晶圆的加工面积（产量×层数）直接正相关。随着中芯国际、长江存储、长鑫存储等本土晶圆厂的产能持续爬坡和新厂建设，国内晶圆产能进入高速扩张期。直接体现在市场规模上，中国CMP抛光垫市场规模已从2020年的约10亿元增长至2024年的约23亿元，并预计在2025年扩容至29亿元左右。这一增长的根本来源，就是日益增多的晶圆加工对抛光垫产生的巨大消耗需求。
数据来源：观研天下整理
近期我国主要晶圆厂产能扩张建设项目汇总
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公司 |
项目名称 |
投资规模 |
新增产能 |
工艺节点 |
地点 |
时间节点 |
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晶合集成 |
四期项目 |
355亿元 |
5.5万片/月（12英寸） |
40nm、28nm（CIS、OLED、逻辑） |
合肥新站 |
2026年Q4搬入设备，2028年Q2达满产 |
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华虹半导体 |
收购华力微 |
82.68亿元 |
新增3.8万片/月 |
65/55nm、40nm逻辑及特色工艺 |
上海 |
重组完成后华力微成为全资子公司 |
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中芯国际 |
先进制程扩产 |
— |
7nm以下：从<2万片/月→10万片/月（1-2年内）→50万片/月（2030年目标） |
7nm、5nm |
上海、北京 |
1-2年目标10万片/月，2030年目标50万片/月 |
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中芯国际 |
中芯南方（SN2） |
— |
3.5万片/月 |
先进制程 |
上海 |
规划建设中 |
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中芯国际 |
中芯北方整合 |
— |
中芯北方成为全资子公司 |
12英寸（逻辑、射频、高压等） |
北京亦庄 |
2025年底完成股权收购 |
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上海华力 |
康桥二期 |
— |
两个Fab（FabX、FabY） |
— |
上海康桥 |
2024年开始招标建设 |
资料来源：观研天下整理
3、技术演进双轮驱动，为CMP抛光垫行业创造增量空间
在产能扩张的基础上，技术的持续进步对CMP抛光垫的需求量和性能提出了更高要求，是市场增长的核心催化剂。
一是，先进制程的步骤增加与材料革新。随着逻辑芯片制程向7nm、5nm乃至更先进节点演进，芯片内部的层数增加，对晶圆全局平坦化的要求达到极致，导致CMP工艺步骤成倍增加。例如，FinFET工艺相比平面工艺，CMP步骤显著增多；而进入GAA架构后，对抛光选择比、缺陷控制等提出了原子级的严苛要求（如铜/阻挡层选择比需超过100:1，表面粗糙度低于0.3nm）。此外，新材料的引入（如10nm以下技术节点中钴将部分替代铜作为导线）也要求开发与之匹配的全新抛光垫，为能够快速响应的供应商创造了新机遇。
二是，先进封装成为市场新增长极。以Chiplet、3D NAND、HBM为代表的先进封装技术，正在成为CMP需求的新增长极。这些技术需要在封装环节进行多次晶圆键合和介质层平坦化，对CMP工艺提出了更多需求。市根据相关资料预测，到2028年，先进封装技术将为全球CMP市场贡献额外15~20% 的需求增长。
4、CMP抛光垫市场竞争格局：海外巨头主导，本土龙头突围
当前，全球及中国CMP抛光垫市场均呈现出高度集中的寡头垄断格局。从全球范围看，海外巨头长期占据主导地位，其中美国杜邦（DuPont）是该领域的绝对领导者，凭借深厚的技术积累和客户基础，长期占据全球超过75%的市场份额；包括杜邦、Entegris、日本Fujibo在内的全球前四大供应商（CR4）合计市场份额超过90%，构成了稳固的第一梯队。