超级景气周期开启！供需错配与AI驱动下存储芯片价格暴涨 行业国产机遇已至

2026年以来，全球存储芯片市场迎来强势上涨行情，DRAM（动态随机存取存储器）、NAND（闪存）及HBM（高带宽存储器）全品类价格同步飙升，截至3月上旬，内存价格较2025年第四季度末已上涨80%—90%，创历史新高。

国家发展改革委价格监测中心2月28日发布的数据显示，截至2026年1月份，全球存储芯片两大主要产品DRAM（内存）和NAND闪存价格均创下自2016年有统计数据以来的最高值。以主流型号DDR4 8Gb颗粒为例，部分型号的现货价格从2025年低点的3.2美元飙升至15美元，累计涨幅高达369%。

国家发展改革委价格监测中心表示，当前存储芯片正处于上涨周期。从年内来看，在AI服务器算力需求持续增长的带动下，全球存储芯片市场供不应求局面仍将持续，存储芯片价格将延续上涨态势，并正逐步传导至消费电子终端产品。然而这场席卷全球的涨价潮并非短期市场波动，而是由AI算力需求爆发与供需失衡共同引发。

需求端爆发式增长，成为价格暴涨的核心驱动力。当前，AI大模型的快速发展，催生了对高端存储芯片的极致需求，单台AI服务器的DRAM消耗量是普通服务器的8倍，而HBM作为AI算力核心组件，更是呈现“一芯难求”的局面与此同时，传统需求领域同步复苏，数据中心IT投资回升，AI手机、AI PC等消费电子新品迭代，汽车电子智能化升级带来的车规级存储需求增长，形成多维度需求共振。

一方面是谷歌、微软等云厂商及OpenAI等企业纷纷加大采购力度，另一方面是三星、SK海力士、美光三大全球存储巨头的库存仅够维持3-5周，远低于行业6-8周的正常水平，渠道商库存也从9个月压缩至4个半月，整个产业链处于严重缺货状态。2026年截至目前全球HBM需求缺口已达5.1%，为近15年来最严重水平。

需求缺口扩大下，价格暴涨便随之而来。价格暴涨直接带动行业盈利水平飙升。数据显示，2025年第四季度DRAM营业利润率已达到60%区间，首次超过HBM，2026年第一季度更是有望突破历史峰值。SK海力士2025财年营业收入达97.15万亿韩元，营业利润47.21万亿韩元，利润率高达49%，双双刷新历史纪录，成为行业高景气度的直接印证。国内相关企业也同步受益，朗科科技、东芯股份等企业均表示，市场需求持续好转，产能利用率保持高位，产品价格稳步回升。

整体来看目前产业链呈现明显的冷暖分化态势。上游存储芯片设计、制造企业利润上涨，而下游OEM厂商则面临巨大成本压力，消费电子领域受影响最为显著。惠普、戴尔等PC制造商及智能手机品牌纷纷调整产品策略，或降低内存规格，或寻求替代供应；此外，3月份国内多个手机品牌正计划调价。小米创始人雷军近日表示，由于AI需求的暴涨，内存存储价格飙升，对手机等相关业务影响很大。2月27日，魅族在官微发布公告，回应近期“手机业务停摆”等问题。

值得关注的是，此次涨价潮或将为国产存储产业崛起提供机遇。经过多年发展，我国已形成以长鑫科技（DRAM）、长江存储（NAND Flash）为龙头，东芯股份、兆易创新等企业为补充的产业格局。随着海外巨头退出传统存储细分市场，国内企业有望逐步填补市场空白，市占率持续提升。据悉，长鑫科技科创板IPO申请已获受理，计划募资295亿元提升核心竞争力，预计2026年下半年至2027年，国产存储产能将逐步释放，有望缓解全球供给紧张局面。（LQM）

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