全球光刻材料行业迎来复苏迹象 我国国产化战略持续深化

一、光刻材料是集成电路第二大关键材料，市场占比15.3%

光刻材料主要包括 SOC（Spin On Carbon）、ARC（Anti-reflective Coating）、光刻胶、Top Coating、稀释剂、冲洗液、显影液等，系光刻工艺中重要材料之一，决定着晶圆工艺图形的精密程度与产品良率。

根据观研报告网发布的《中国光刻材料行业现状深度研究与发展前景预测报告（2025-2032）》显示，材料是集成电路产业基石，是推动集成电路技术创新的引擎。集成电路关键材料处于整个产业链上游环节，对产业发展起着重要支撑作用，具有产业规模大、细分行业多、技术门槛高、研发投入大、研发周期长等特点。

集成电路关键材料细分品类众多，可以分为前道工艺晶圆制造材料和后道工艺封装材料。其中前道工艺晶圆制造材料包含硅片、掩模板、光刻材料、前驱体材料、电子特气、研磨抛光材料、湿电子化学品、高纯试剂、溅射靶材等；后道工艺封装材料主要包括封装基板、引线框架、陶瓷封装体和键合金属线‌。

目前在集成电路制造材料中，硅片、光刻材料、掩模板、电子特气占比较高。以 2023 年为例，硅片市场在晶圆制造材料市场中占比为 33.1%，位列第 1 位；其次为光刻材料，占比为15.3%。

数据来源：Frost & Sullivan，观研天下整理

二、集成电路工艺技术演变推动光刻材料技术不断进步

光刻材料市场需求与集成电路发展紧密相关。近年来全球及中国集成电路市场规模持续扩大，尤其是在5G、物联网、人工智能等技术的推动下，集成电路在通信、计算机、消费电子等领域的应用日益广泛。而中国作为全球最大的集成电路市场之一，其销售额持续增长，预计未来几年市场规模将继续扩大。根据数据显示，2023年我国集成电路产量为3514.35亿块，2025年预计为集成电路产量约为5191亿块。

数据来源：公开数据，观研天下整理

在集成电路中，光刻材料市场需求又与集成电路工艺发展最为紧密。一方面，随着晶圆制造工艺制程逐渐缩小，先进制程中光刻工艺曝光次数显著增加。尤其是境内缺失 EUV相关技术的背景下，多重曝光技术与浸没式光刻技术已被广泛应用以提升技术节点，相应曝光材料用量随之提升，对光刻材料需求保持增长；另一方面，存储芯片中闪存芯片推进 3D NAND、内存芯片技术节点持续升级、逻辑芯片转向FinFET 结构等都对光刻材料提出新要求，促使光刻材料持续演进。存储芯片与逻辑芯片合计市场规模占集成电路市场规模超过 60%，相应产品技术演

存储芯片与逻辑芯片相应产品技术演变推动光刻材料技术不断进步

资料来源：公开资料，观研天下整理

三、全球光刻材料迎来复苏迹象，市场逆势增长，EUV光刻胶需求强劲成主要驱动力

进入2024年，受半导体市场复苏的推动，全球光刻材料迎来复苏迹象，市场逆势增长。根据TECHCET数据显示，2024年全球光刻材料行业营收达到47.4亿美元（现汇率约合 343.28 亿元人民币），同比增长1.6%。到2025年，全球光刻材料市场的收入可能会增加7%，达到大约50.6亿美元（现汇率约合 366.46 亿元人民币）。预计到 2029 年，全球光刻材料市场将以 6% 的复合年增长率增长。

数据来源：TECHCET，观研天下整理

其中，EUV光刻胶表现最为突出，并成为了光刻材料整个行业增长的主要驱动力。2024年EUV光刻胶表现最为突出，贡献了5.2亿美元，比2023年多卖出了20%。 而到2025年，这个数字估计还要再涨30%。

据了解，EUV光刻胶能这么火，主要是因为先进芯片制造工艺的需求在不断升级。例如在台积电的3nm生产线里，每片晶圆要经历19次EUV光刻，比7nm时代翻了近4倍。 三星的2nm工厂更夸张，EUV光刻层数预计突破25层。

这么一来，整个光刻材料领域里，EUV光刻胶就成了最火的细分市场了。预计到2029年，全球EUV光刻胶市场规模将涨到12.7亿美元，并在2024-2029年将以19.4%的复合年增长率增长。

数据来源：TECHCET，观研天下整理

展望未来，全球光刻材料市场前景广阔，增长潜力巨大，但也面临着供应链、地缘政治和技术等多方面的挑战。半导体制造企业、光刻材料供应商以及相关科研机构需要密切关注市场动态，加大研发投入，积极应对各种挑战，以抓住市场增长带来的机遇。

光刻材料市场机遇与挑战并存

资料来源：公开资料，观研天下整理

四、我国起步晚发展快，国产化战略持续深化

虽然我国境内光刻材料起步较晚，前期发展较为缓慢。但随着国家科技重大专项支持和集成电路产业快速成长的带动下，境内光刻材料企业开始持续研发投入，光刻材料整体研发与制备水平得到提升，市场得到快速增长，规模不断增长。根据弗若斯特沙利文市场研究，我国境内光刻材料整体市场规模从2019 年 53.7 亿元增长至 2023 年 121.9 亿元，年复合增长率达 22.7%，并将于2028 年增长至 319.2 亿元，年复合增长率达 21.2%。

数据来源：弗若斯特沙利文，观研天下整理

与此同时，伴随境内晶圆制造产能与良率不断提升，上下游行业快速发展，并结合光刻材料国产化战略持续深化，光刻材料原材料如光敏剂、树脂、溶剂等已具备市场发展空间，相关研发工作已取得进展，在基本有机合成方面积累一定技术沉淀，需重点突破在大批量生产过程中如何控制原材料的金属杂质和颗粒尺寸及含量，使其可满足集成电路工艺对金属杂质和颗粒的严苛要求。未来，随着光刻材料原材料国产化取得突破，将促进光刻材料国产化应用进一步落地。

以光刻胶为例：光刻胶系光刻工艺核心材料。目前在 12 英寸集成电路晶圆制造领域，全球范围内生产半导体光刻胶的企业主要有日本合成橡胶、信越化学、东京应化、富士胶片、美国杜邦等。境内企业除恒坤新材已实现 i-Line 光刻胶与 KrF 光刻胶量产供货外，包括南大光电、北京科华、上海新阳、瑞红苏州等也有半导体光刻胶产品在验证或量产供货过程中。

不过，目前境内光刻材料仍然系由境外厂商占据主要市场份额，境内关键材料企业虽然已有突破，但是尚未在先进技术节点形成大规模国产化的局面。根据弗若斯特沙利文市场研究，目前在 12 英寸集成电路领域，i-Line 光刻胶、SOC 国产化率 10%左右，BARC、KrF 光刻胶国产化率 1-2%左右，ArF 光刻胶国产化率不足 1%。在未来一定时期内，境内关键材料企业仍将以国产化应用为主要突破方向。（WW）