根据观研报告网发布的《中国SiC器件行业现状深度研究与发展前景分析报告（2022-2029年）》显示，SiC器件具有出色的特性,能够实现高耐压、低功耗、高频动作和高温动作。使用SiC的功率半导体能够实现大幅节能和安装产品的小型化、轻量化。
Si与SiC对比情况
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数据来源：观研天下整理
目前，4英寸和6英寸是全球主流SiC衬底尺寸，芯片裁切效率较低及外延良率较低等问题使得SiC器件成本高昂，并且由于后续晶圆制造、封装良率较低，导致SiC器件整体成本仍处于较高水平。未来，随着全球半导体厂商加速研发及扩产，产线良率将逐步提高，将有效降低SiC器件成本。
随着新能源汽车及光伏领域需求量的高速增长，全球SiC功率半导体市场规模不断扩大。根据Omdia数据显示，2019年，全球SiC功率半导体市场规模为8.9亿美元，预计2024年将达26.6亿美元，年均复合增长率达到24.5%。
数据来源：观研天下整理
数据来源：观研天下整理（WYD）
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