一、空白掩模版是半导体光掩模版核心部件,原材料成本占比超五成
根据观研报告网发布的《中国空白掩模版行业发展趋势分析与未来投资预测报告(2025-2032年)》显示,空白掩模版基本结构是在石英面板上镀一层光学薄膜,材料包括铬、硅化钼、氧化硅等。在半导体光掩模版制造的复杂体系中,空白掩膜版处于极为关键的位置。越高端的掩模版,对于空白掩模版的平整度、薄膜沉积性能、缺陷控制等各项技术参数的要求就越高。
空白掩模版是半导体光掩模版的核心部件。从龙图光罩原材料采购结构来看,2021-2023年空白掩模版占光掩模版原材料成本的比重保持在50%以上。
数据来源:观研天下数据中心整理
二、国内空白掩膜版需求刚性增长,但“卡脖子”属性极强
AI芯片(含GPU、NPU等)电路复杂度提升直接导致光罩层数增加,而汽车半导体、功率器件等特色工艺领域的扩产潮进一步放大需求。叠加12英寸晶圆产能占比持续提升带来的配套需求增长,空白掩膜市场形成“需求刚性增长”格局。2024年国内空白掩膜版需求量约为2.5万片,2026年预计增至7.5万片(若光刻机加速落地或达10万片)。
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空白掩模版技术壁垒高,是半导体光刻产业链中“卡脖子”属性极强的关键材料。高端空白掩模版要求基板材质中杂质含量极低,对透过率、应力双折射、条稳、颗粒均匀性等光学性能也要求极高,不允许有气泡、不透明杂质等缺陷。同时,在平面加工和镀膜等工艺流程中也有着相应的高要求,检测和筛选能力也需要随着产品高端化而不断提升。
空白掩模板材料性能要求
类别 |
玻璃材料和性能 |
合成石英 |
组分 |
SiO₂ |
100% |
OH 含量 |
<100ppm |
|
杂质 |
石英玻璃基板中 Al、Ca、Cu、Fe、Na、K、Li、Mg 等 8 种杂质元素含量均<0.01ppm |
|
光学性质 |
透过率 Transmittance |
≥90.0% @450nm |
应力双折射(nm/cm)birefringence |
≤2 |
|
条纹 |
不准许有条纹 |
|
颗粒不均匀性 |
不准许有不均匀颗粒 |
|
缺陷Defect |
气泡和不透明杂质Bubbles |
无 |
资料来源:观研天下整理
全球空白掩模版市场被日本企业牢牢掌控,信越化学(Shin-Etsu)、豪雅(Hoya)、旭硝子(AGC)三家企业合计占据全球约80% 的市场份额,其中HOYA主导高端市场;韩国企业是日本垄断下的 “少数突破者”,以 S&S Tech(三星子公司)、SKE(SKC 集团子公司)为代表,合计占据全球约 15%-20% 的市场份额,定位为“打破日本垄断的本土补充”;而国内企业长期处于 “中低端试水、高端空白”的被动局面。
数据来源:观研天下数据中心整理
数据来源:观研天下数据中心整理
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三、多因共振,中国高端空白掩模版有望实现零的突破
国产空白掩模版供应商主要集中于小尺寸、平板显示等领域。从国内主要掩模版供应商产品布局来看,大部分公司产品仍然集中于平板显示、PCB、电子元器件等基础应用领域,而在半导体领域布局通常也以分立器件、成熟制程 IC 等较为成熟的下游领域为主。目前国内空白掩模版供应商在 G6 及以下掩膜基板方面已经基本实现国产化,但在大尺寸和中高端小尺寸方面仍然依赖日韩进口,在半导体空白掩模版领域的国产化几乎处于空白状态。
国产空白掩模版公司产品布局情况
公司 | 石英基板 | 苏打基板 | 其他基板 | 应用领域 |
普照信息 | √ | √ | - | IC、平面显示、PCB等 |
传芯半导体 | - | - | - | 高端半导体掩模版 |
新斯锴 | - | - | √ | IC、电子元器件、平板显示、PCB、光学元件等 |
韶光芯材 | √ | √ | - | IC、平板显示等 |
精石光掩模 | √ | √ | - | IC、平板显示、PCB等等 |
中科卓尔 | √ | - | - | IC、平板显示等 |
禾臣新材 | √ | - | - | IC、平板显示等 |
神光光学 | √ | - | - | 平板显示等 |
芯链半导体 | √ | - | - | IC |
立恩半导体 | √ | - | - | IC |
资料来源:观研天下整理
随着需求扩张、政策扶持力度加大与企业积极兼并收购,高端国产替代窗口期明确显现。
国内头部晶圆制造企业密集推进产线建设与扩产计划。截至2025年8月31日,中国大陆共有晶圆产能259万片/月,其中先进制程产能达到每月16.7万片,占比7.2%;占比最大的是成熟核心制程(28nm-65nm)及成熟中低制程(90nm-180nm)。此外在存储半导体领域,中国大陆产能也已经达到57万片/月。这将直接带动空白掩膜需求同步扩张,形成坚实的“量增”基础。
中国大陆晶圆厂产能统计(截至2025年8月31日)
制程梯队 | 技术节点范围 | 全国总产能(万片/月) | 核心代表晶圆厂 | 核心应用领域 | 产能占比 |
先进制程 | 14nm及以下 | 16.7 | 中芯国际、中芯京城、长鑫存储、海辰半导体 | 高端SoC、AI服务器、LPDDR5/DDR5 | 7.20% |
成熟核心制程 | 28nm-65nm | 72.6 | 华虹半导体、台积电南京、厦门联芯、粤芯半导体、时代芯存 | 车规MCU、CIS图像传感器、物联网芯片 | 31.50% |
成熟中低制程 | 90nm-180nm | 79.5 | 和舰科技、华润微、燕东微电子、武汉新芯、万国半导体、华微电子、福建晋华 | 电源管理IC、显示驱动IC、功率MOSFET | 34.50% |
Legacy制程 | 250nm及以上 | 8.6 | 上海贝岭、新芯集成电路、上海先进半导体 | 智能卡芯片、工业控制低端芯片 | 3.70% |
特色工艺 | BCD/MEMS/SiC | 24.8 | 华虹半导体、赛莱克斯、华润微、中芯国际、赛微电子、积塔半导体 | 汽车功率器件、MEMS传感器、SiCMOSFET | 10.70% |
存储专项制程 | NAND/DRAM | 57 | 三星西安、SK海力士大连、长江存储、长鑫存储、美光西安 | 消费级SSD、服务器内存、移动存储 | - |
资料来源:观研天下整理(zlj)
国内2025年半导体空白掩膜市场空间约40-50亿元,中长期随AI芯片、先进封装需求增长将达百亿规模,但目前极度依赖进口,若遭遇外部管控,中芯、华虹等晶圆厂的扩产将直接停滞。半导体产业链自主可控被纳入国家战略,“卡脖子”材料(如空白掩膜、光刻胶)成政策扶持的核心方向。
SKE的KrF/ArFPSM空白掩膜技术领先国内同行“一代以上”,聚和材料收购SKE空白掩膜业务,为国内空白掩膜国产替代打开“稀缺切口”。借助SKE已有的SK海力士量产资质、中芯/华虹验证进展,聚和可跳过“从0到1”的验证周期(节省1-2年),快速实现国产供货(目标5万片/年)。

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