IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,绝缘栅双极型晶体管)是一种复合全控型功率半导体器件,结合了MOSFET(场效应管)的高输入阻抗和BJT(双极型晶体管)的低导通损耗特性,广泛应用于高电压、大电流、高频开关的电力电子领域。
从全球市场规模来看,2020-2024年全球IGBT市场规模呈稳步增长。2024年全球IGBT市场规模约为75亿美元,同比增长5.6%。
数据来源:公开资料、观研天下整理
从中国市场规模来看,IGBT等半导体功率器件将成为国民经济发展中不可或缺的电子元器件,近五年中国IGBT市场规模保持增长趋势。2024年中国IGBT市场规模达到223.3亿元,较上年增长10.7%。
数据来源:公开资料、观研天下整理
从产量来看,在新能源汽车领域,IGBT为电控系统和直流充电桩的核心器件,近五年我国IGBT产量快速增长。2024年我国IGBT产量达到3859万只。
数据来源:公开资料、观研天下整理
从下游应用领域来看,新能源汽车、消费电子、工业控制为IGBT行业主要应用领域,分别占比31%、27%和11%,其中新能源汽车为最大应用市场。
数据来源:公开资料、观研天下整理
供应商市场占比来看,我国IGBT行业企业中斯达半导市场占比最大,占比15%;其次是比亚迪半导体、中车时代、华润微、士兰微、扬杰科技、捷捷微电,分别占比12%、9%、3%、1%、1%、1%。
数据来源:公开资料、观研天下整理(xyl)
观研天下®专注行业分析十三年,专业提供各行业涵盖现状解读、竞争分析、前景研判、趋势展望、策略建议等内容的研究报告。更多本行业研究详见《中国IGBT行业现状深度分析与投资前景预测报告(2025-2032)》。

【版权提示】观研报告网倡导尊重与保护知识产权。未经许可,任何人不得复制、转载、或以其他方式使用本网站的内容。如发现本站文章存在版权问题,烦请提供版权疑问、身份证明、版权证明、联系方式等发邮件至kf@chinabaogao.com,我们将及时沟通与处理。