TGV深孔溅射设备行业分析：AI算力倒逼封装材料迭代 市场规模已超亿美元

前言：

当前，全球玻璃基板先进封装产业化进程正全面提速：台积电于2026年6月正式发布CoPoS方案并建成试验产线，规划2027年试产、2028至2029年大规模量产；英特尔已推出搭载玻璃基板的Xeon 6商用处理器；三星电机锁定2027年量产计划。CoPoS有望成为继CoWoS之后台积电的关键先进封装平台，TGV与RDL是核心工艺环节，预计将拉动TGV相关设备需求持续释放。据测算，仅高端ABF载板领域，TGV相关设备的存量市场规模即达数千亿元量级。在市场规模方面，2024年全球TGV深孔溅射设备市场约2.23亿美元，预计2031年将达3.15亿美元；中国TGV深孔溅射设备市场有望从2024年的0.46亿美元增长至2030年的1.15亿美元，年复合增长率达13.05%，显著高于全球平均水平。在“AI算力倒逼封装材料迭代、玻璃基板产业化从0到1”的战略窗口期，TGV深孔溅射设备作为金属化环节的关键装备，有望迎来从技术验证到产业化放量的历史性机遇。

1、玻璃基板电镀的“铺路石”，TGV深孔溅射的技术壁垒

根据观研报告网发布的《中国TGV深孔溅射设备行业发展深度分析与投资前景预测报告（2026-2033年）》显示，PVD沉积设备主要采用磁控溅射（Sputtering）技术，此技术在TGV种子层制备中又称TGV深孔溅射或深孔镀膜。其核心工作原理是在高真空腔室内通入氩气，通过高压电场电离氩气产生带正电的氩离子，氩离子在电场加速下轰击金属靶材表面，通过动量传递将靶材原子撞击出来，最终沉积在基材表面上形成薄膜。磁控溅射的关键在于靶材背后布置的强磁铁产生与电场垂直的磁场，电子受洛伦兹力作用被束缚在靶材附近呈螺旋状运动，极大延长了运动路径，提高了与氩原子的碰撞概率，从而在低气压下维持高密度等离子体，显著提升了溅射效率。该工艺具有低温成膜、薄膜致密均匀、纯度高、附着力强等优势，是当前TGV种子层沉积的主流量产技术。

磁控溅射工作原理图

资料来源：英生电子

TGV深孔溅射的技术壁垒，源于其需要突破传统物理气相沉积的极限：

TGV深孔溅射的技术壁垒

资料来源：观研天下整理

2、玻璃基板产业化提速打开TGV深孔溅射设备增量空间

AI大模型需求下，单颗芯片越来越大，Chiplet技术成为必然。要将多颗GPU/CPU芯粒高速互联，传统有机树脂基板在平整度、热膨胀和介电性能上已逼近极限。玻璃基板作为近乎完美的替代方案，正成为台积电、英特尔、三星的共识，这是TGV设备最大的市场基石。当前，全球主要半导体巨头正加速推进玻璃基板量产布局。例如，台积电于2026年6月正式发布CoPoS（Chip-on-Panel-on-Substrate）方案并建成试验产线，首批测试样机已进驻子公司采钰科技厂房，规划2027年小批量试产、2028至2029年大规模量产；英特尔已推出搭载玻璃基板的Xeon 6商用处理器，技术路线率先实现商业化验证；三星电机锁定2027年量产计划。

全球主要企业在玻璃基板领域的产线布局

资料来源：观研天下整理

CoPoS有望成为继CoWoS之后台积电的关键先进封装平台，TGV（玻璃通孔）与RDL（重布线层）是核心工艺环节，预计将拉动TGV相关设备需求持续释放，超快激光设备、深孔镀膜设备等均将受益。

从设备需求空间看，行业具备长期增长潜力。据测算，仅高端ABF载板领域，TGV相关设备的存量市场规模即达数千亿元量级。

3、全球TGV深孔溅射设备行业规模不断扩大，中国市场已经超亿美元

因此，在上述因素驱动下，全球TGV深孔溅射设备行业规模不断扩大。数据显示，2023年全球半导体PVD设备市场规模大约为48.05亿美元，预计2030年将达到73.83亿美元，2024-2030期间年复合增长率为6.5%。据此可推算，2024年全球TGV深孔溅射设备市场占总半导体PVD设备市场4.29%，并将在2030年回落至4.01%。假设中国半导体PVD设备中TGV深孔溅射设备占比与全球持平，可推算2030年中国TGV深孔溅射设备市场将达到1.15亿美元，年复合增长率13.05%。

数据来源：观研天下整理

数据来源：观研天下整理（WYD）