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半导体核心设备——光刻机,行业国产替代势在必行

一、光刻是芯片制造的关键工艺,光刻机是核心设备

光刻是芯片制造的关键工艺,光刻机是核心设备。芯片制造流程大致包括晶圆加工、氧化、光刻、刻蚀、薄膜沉积、互连、测试、封装等重要步骤。其中,光刻是半导体芯片生产流程中最复杂、最关键的工艺步骤,耗时长、成本高。光刻原理是将高能雷射光穿过光罩(reticle),使光罩上的电路图形透过聚光镜(projectionlens),将影像缩小到十六分之一后成像(影像复制)在预涂光阻层的晶圆(wafer)上。光刻工艺可以细分为涂胶、曝光、显影。涂胶,在晶圆表面均匀涂抹对光敏感的物质——光刻胶(PR,PhotoResist);曝光,使用曝光设备(光刻机)使光穿过包含电路图形的光罩,将电路印在晶圆上;显影,在晶圆上喷洒显影液后,选择性的去除曝光区和非曝光区,从而形成电路图形。

芯片晶圆加工流程

<strong>芯片晶圆加工流程</strong>

资料来源:观研天下数据中心整理

光刻机经历五次迭代:根据所使用的光源的方案,光刻机经历了5代产品的迭代,每次光源的改进都显著提升了光刻机所能实现的最小工艺节点。光刻技术的进步使得器件的特征尺寸不断减小,芯片的集成度和性能不断提高。在摩尔定律的引领下,光学光刻技术经历了接触/接近、等倍投影、缩小步进投影、步进扫描投影等曝光方式的变革。曝光光源的波长由436纳米(g线),365纳米(i线),发展到248纳米(KrF),再到193纳米(ArF)。技术节点从1978年的1.5微米、1微米、0.5微米、90纳米、45纳米,一直到目前持续推进。

光刻机历经五次历史迭代

代数

光源类型

波长(nm

最小工艺节点(nm

工艺原理

第一代

g-line

436

800-250

接触式光刻机

接近式光刻机

第二代

i-line

365

800-250

接触式光刻机

接近式光刻机

第三代

KrF

248

180-130

扫描投影式光刻机

第四代

ArF

193

130-65

步进扫描投影光刻机

45-22

步进扫描投影光刻机

第五代

EUV

13.5

22-7

浸没式步进扫描投影光刻机

资料来源:观研天下数据中心整理

二、光刻机是半导体设备中市场占比最大的品类,全球市场规模不断扩大

光刻机是半导体设备中市场占比最大的品类。根据SEMI数据显示,2024年全球半导体设备销售额为1090亿美元,从细分产品来看,光刻机、刻蚀机、薄膜沉积设备为半导体设备主要核心设备,市场占比均在20%以上。其中,光刻机为市场占比最高品类,光刻机的占比达24%,并且随芯片制程迭代,这一占比还在持续提高。

光刻机是半导体设备中市场占比最大的品类。根据SEMI数据显示,2024年全球半导体设备销售额为1090亿美元,从细分产品来看,光刻机、刻蚀机、薄膜沉积设备为半导体设备主要核心设备,市场占比均在20%以上。其中,光刻机为市场占比最高品类,光刻机的占比达24%,并且随芯片制程迭代,这一占比还在持续提高。

数据来源:观研天下数据中心整理

在半导体产业蓬勃发展的浪潮下,全球光刻机市场规模展现出持续上扬的强劲态势。2024年,全球光刻机市场规模已攀升至约315亿美元,较上一年实现了显著增长。从市场规模的增长趋势来看,近年来其年复合增长率(CAGR)维持在较高水平。

2019-2024年,受到5G通信技术发展、人工智能产业崛起以及消费电子设备升级换代等诸多因素的驱动,对先进制程芯片的需求呈井喷式增长,进而拉动光刻机市场规模稳步扩张。展望未来,预计到2030年,全球光刻机市场规模有望突破600亿美元大关。随着半导体制造工艺向更先进的制程节点不断推进,如3nm、2nm甚至更小制程,对光刻机的技术性能和产能要求将持续提升,这将成为推动市场规模进一步扩大的关键动力。同时,新兴应用领域如量子计算、物联网(IoT)等的兴起,将催生对各类高性能、低功耗芯片的海量需求,进一步刺激光刻机市场的发展。

2019-2024年,受到5G通信技术发展、人工智能产业崛起以及消费电子设备升级换代等诸多因素的驱动,对先进制程芯片的需求呈井喷式增长,进而拉动光刻机市场规模稳步扩张。展望未来,预计到2030年,全球光刻机市场规模有望突破600亿美元大关。随着半导体制造工艺向更先进的制程节点不断推进,如3nm、2nm甚至更小制程,对光刻机的技术性能和产能要求将持续提升,这将成为推动市场规模进一步扩大的关键动力。同时,新兴应用领域如量子计算、物联网(IoT)等的兴起,将催生对各类高性能、低功耗芯片的海量需求,进一步刺激光刻机市场的发展。

数据来源:观研天下数据中心整理

三、当前光刻机国产化率低,海外限制加剧背景下的国产替代迫在眉睫

美日荷对中国光刻机持续进行光刻机管制。目前,全球先进半导体设备主要被美国、日本和荷兰所垄断,特别是在光刻机领域,荷兰的ASML、日本的Nikon和Canon三家巨头垄断了全球光刻机大部分市场。而国内光刻机由于进度较为落后,高精尖设备主要依赖进口,而美国早在2018年就开始施压对华高端光刻机的出口,之后又陆续出台“1007新规”等针对政策,限制对中国出口先进制程芯片设备,同时联合日本荷兰制定相关出口条例共同对华进行产业封锁,在美日荷对中国芯片产业封锁不断升级的情况下,以光刻机为代表的卡脖子设备,其国产化替代越发迫切。

近年来海外对华半导体政策出台一系列管制措施,自主可控迫在眉睫

时间 国家 具体管制情况
2022年4月 美国 美国政府提议与韩国、日本、中国台湾地区建立“芯片四方联盟”(CHIP4),试图将中国大陆排除在全球半导体供应链联盟之外。
2022年7月 美国 美国商务部禁止ASML、应用材料等企业向中国出口14nm及以下先进制程设备,并限制美国公民参与中国芯片研发。
2023年1月 美日荷 美日荷秘密达成三方协议,限制向中国出口DUV光刻机及零部件。荷兰ASML随后停止向中国出口部分DUV设备。
2023年1月 日本 日本宣布自2023年7月起,对23种先进半导体制造设备实施出口管制,包括光掩模镀膜设备、光掩模检测设备、光刻步进器以及符合氩氟化物(ArF)DUV性能标准或更高水平的扫描仪设备等。
2024年9月 美国 美国商务部更新量子计算与半导体出口管制,限制中国获取先进光刻机。
2025年1月 美国 发布“全球AI管控新规”,将全球国家分为三级管控区,中国被列为最高风险等级,全面禁止AI芯片和模型对华出口。
2025年5月 美国 BIS向Synopsys、Cadence和西门子EDA这三家全球前三的EDA厂商发出通知,要求他们停止向中国提供服务。

资料来源:观研天下数据中心整理

光刻机国产化迫在眉睫。我国光刻机长期依赖进口,以ASML为例,其对中国大陆市场销售收入持续提升,2024年达到了90亿欧元,占其收入比重41%。寡头垄断、技术封锁与出口管制,导致我国芯片制造面临“卡脖子”困境,同时也限制了我国AI产业的发展。实现光刻机国产化,不仅是打破技术壁垒、保障供应链安全的关键,更是提升我国科技自主创新能力的战略需求。在全球科技博弈加剧的背景下,加快光刻机自主研发,已成为我国半导体产业崛起的必由之路。

光刻机国产化迫在眉睫。我国光刻机长期依赖进口,以ASML为例,其对中国大陆市场销售收入持续提升,2024年达到了90亿欧元,占其收入比重41%。寡头垄断、技术封锁与出口管制,导致我国芯片制造面临“卡脖子”困境,同时也限制了我国AI产业的发展。实现光刻机国产化,不仅是打破技术壁垒、保障供应链安全的关键,更是提升我国科技自主创新能力的战略需求。在全球科技博弈加剧的背景下,加快光刻机自主研发,已成为我国半导体产业崛起的必由之路。

数据来源:ASML官网,观研天下数据中心整理

根据观研报告网发布的《中国光刻机行业现状深度研究与发展前景预测报告(2025-2032年)》显示,国内政策扶持光刻机加速发展。1966年,中国成功制造出第一台接触式光刻机,90年代初期,国内光刻机设计制造一直停滞不前,国内的光刻机仍然主要依赖进口。2002年,光刻机被正式列入“863重大科技攻关计划”,同时上海微电子装备有限公司成立,并于2007年宣布研制出90nm工艺的分布式投影光刻机。2008年国家成立“极大规模集成电路制造装备与成套工艺专项”(02专项),在02专项的支持下,一批相关企业和科研机构在曝光光学系统、双工件台、光刻胶等关键技术和零部件方面取得了突破。

国内光刻机产业不断突破。2016年上海微电子90nmArF光刻机SSA600系列实现出货。2020年华卓精科生产的光刻机双工件台,打破了ASML公司在光刻机工件台上的技术垄断。整体而言,国内光刻机产业正不断进步,国产替代空间广阔。

上海微电子SSX600系列光刻机

<strong>上海微电子</strong><strong>SSX600</strong><strong>系列光刻机</strong>

资料来源:上海微电子官网,观研天下数据中心整理(wys)

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