高带宽内存（HBM）是一种基于3D堆栈工艺的高性能动态随机存取存储器，采用硅通孔（TSV）和芯片堆叠架构实现高速数据传输与低能耗特性。该技术通过垂直堆叠多个DRAM芯片形成大容量内存阵列，利用TSV技术实现高速互联，相较于传统2D DRAM，其带宽显著提升，同时降低单位数据能耗。
产业链来看，高带宽内存（HBM）行业产业链上游原材料及半导体设备，原材料主要包括电解液、前驱体、IC载板、GMC等，半导体设备主要包括光刻机、刻蚀机、涂胶显影设备、薄膜沉积设备、离子注入设备、CMP设备等；中游为高带宽内存（HBM）生产制造；下游为应用领域，主要应用于人工智能(AI)、互联网和数据中心、高性能计算、云计算等。
资料来源：公开资料、观研天下整理
全球市场来看，近三年全球高带宽内存（HBM）出货量及收入金额整体增长。2025年全球高带宽内存（HBM）出货量约4.1BGB，同比增长46.4%；收入金额约307亿美元，同比增长80.6%。
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市场占比看，全球高带宽内存（HBM）市场中海外厂商占据主导地位，其中SK海力士领先，市场占比约53%；三星电子占比约38%，美光科技市场占比约9%。
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国内市场来看，人工智能技术强力引擎推动下，算力需求高速增长。2025年我国算力总规模达300EFLOPS，同比增长7.1%。
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算力需求爆发式增长倒逼存储技术升级。目前，中国HBM产业链在DRAM和先进封装量产技术上仍依赖外部，国产化率接近零。然而，国内企业已在材料、设备、芯片等关键环节实现重要突破，初步形成自主发展能力，正在加速构建可控的产业体系，未来国产化进程有望加快。国内高带宽内存（HBM）企业有长鑫存储、长电科技、通富微电、华天科技、深科技、晶方科技、华进半导体、中芯国际、长江存储、兆易创新等。
国内高带宽内存（HBM）企业及发展潜力
| 企业简称 | 企业专注领域介绍 | 高带宽内存（HBM）领域发展潜力 |
| 长鑫存储 | 国内DRAM产业领军企业 | 积极推进HBM技术研发，在先进封装领域布局深入，受益于AI算力需求爆发，未来发展空间广阔 |
| 长电科技 | 全球领先的封装测试企业 | 掌握先进封装技术，具备正M封装能力，与多家芯片设计公司建立合作关系，技术实力雄厚 |
| 通富微电 | 专业从事集成电路封装测试 | 在高端封装领域技术积累深厚，BM封装技术取得突破，客户资源优质，增长动力充足 |
| 华天科技 | 国内知名封测企业 | 持续投入先进封装研发，HEM相关技术逐步成熟，产能建设稳步推进，市场竞争力不断提升 |
| 深科技 | 存储芯片封装测试领域经验丰富 | 积极布局HBM先进封装技术，客户合作关系稳固，业务发展态势良好 |
| 晶方科技 | 专注于传感器封装领域，技术实力突出 | 积极拓展EM封装业务，研发投入持续加大，未来发展可期 |
| 华进半导体 | 专注于先进封装技术研发 | 在硅通孔等关键技术上取得突破，旺M封装工艺成熟度不断提升，发展潜力显著 |
| 中芯国际 | 国内晶圆制造龙头 | 积极推进先进工艺研发，为BM产业发展提供制造基础，产业链地位重要，发展前景明朗 |
| 长江存储 | 存储芯片领域技术领先 | 具备HBM技术储备，产品研发进展顺利，市场拓展空间广阔，成长性突出 |
| 兆易创新 | 存储芯片设计龙头企业 | 积极布局HBM产品线，技术研发实力强劲，客户资源丰富，竞争优势明显 |
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