一、HBM行业“天下三分”，SK海力士市场表现突出
根据观研报告网发布的《中国HBM行业发展趋势分析与未来前景研究报告（2025-2032年）》显示，HBM，高带宽存储器，本质上是指基于2.5/3D先进封装技术，把多块DRAM堆叠起来后与GPU芯片封装在一起，实现大容量，高位宽的DDR组合阵列。
回顾发展历程，2013年10月，JEDEC发布了第一个HBM标准--JESD235A。2014年，首款硅通孔HBM产品问世，SK海力士与AMD联合开发了全球首款HBM产品,标志着HBM技术的商业化起步。2015年6月，SK海力士推出HBM1，采用4x2 Gbit 29nm工艺DRAM堆叠。2016年1月，三星宣布开始量产4GBHBM2 DRAM，并在同一年内生产8GB HBM2 DRAM.2018年11月，JEDEC发布了JESD235B标准，即HBM2技术，支持最多12层TSV堆叠。2019年，三星推出Flashbolt(HBM2E)，堆叠8个16 GbitDRAM芯片。2021年，SK海力士宣布开发HBM3，并在2022年1月27日发布JEDEC的HBM3标准规范。2023年，HBM技术已经发展至第五代，分别是HBM、HBM2、HBM2E、HBM3、HBM3E。HBM芯片容量从1GB升级至24GB，带宽从128GB/s提升至1.2TB/s，数据传输速率从1Gbps提高至9.2Gbps。
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市场竞争方面，SK海力士作为HBM市场的先行者，在HBM3E的研发和量产上表现突出，早在2024年便成为业界首家实现HBM3E量产验证的企业，占据全球HBM市场的半壁江山。三星紧随其后，2024年市场份额达39%；美光科技占比相对较小，为7%，提升空间较大。根据美光科技2025财年第二季度财报会议纪要，其HBM3E 8H已成功应用于英伟达的GB200平台，而12层堆叠的HBM3E 12H则将应用于GB300。美光在2025财年第二季度已开始向其第三大HBM3E客户批量出货，并预计未来将增加更多客户。公司乐观预测，2025财年HBM收入将达到数十亿美元。
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二、新一轮技术竞赛展开，全球HBM行业再上新台阶
随着JEDEC于2025年4月正式发布HBM4标准，明确采用2048位接口、8Gb/s传输速率，总带宽突破2TB/s，并引入1.1V/0.9V低电压选项，下一代HBM技术竞赛正式拉开帷幕，原厂开启新一轮角逐。
当前HBM4市场中SK海力士具有先发优势。2025年3月，SK海力士宣布出货全球首款12层HBM4样品，计划在2026年下半年实现12层HBM4产品的量产；8月的FMS 2025展会上，SK海力士展示了12层HBM4样品；9月，SK海力士宣布已成功完成面向AI的超高性能存储器新产品HBM4的开发，并在全球首次构建了量产体系。据悉，这次全新构建量产体系的HBM4采用了较前一代产品翻倍的2048条数据传输通道（I/O），将带宽扩大一倍，同时能效也提升40%以上。三星正加速推进京畿道平泽第五工厂（P5）的建设复工，旨在抢占新一代高带宽内存（HBM）的先发产能。美光则在2025财年第四季度及全年业绩电话会议上确认，已向客户交付12层堆叠的HBM4样片。同时，美光CEO Sanjay Mehrotra确认美光下一代HBM4内存将于2026年推出，性能将超越现行的JEDEC HBM4基础规范。
HBM技术迭代加速，同时伴随AI算力爆发、移动终端性能升级、数据中心存储需求激增，全球HBM行业再上新台阶。预计2025年全球HBM位出货量将达4.1B GB，同比增长46.4%；全球HBM收入金额达307亿美元，同比增长80.6%。
数据来源：观研天下数据中心整理
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三、供应链压力骤增，国内企业取得突破
HBM的制造涉及高难度的封装、硅穿孔（TSV）、晶圆制程与封装-测试协同等多个环节，每一步都有极高良率门槛。全球目前真正具备大规模量产能力的只有三星、SK 海力士、美光这三家巨头，行业供给有限。SK海力士HBM3产能已售罄，且优先供应英伟达等大客户。同时，美国对华限制HBM制造设备和EDA工具，加剧国内技术获取难度，国内供应链压力骤增，推动企业研发进程。
国内企业从中低端 DRAM/封装切入，向高阶 HBM 渗透，目前已取得突破。如长鑫存储、华为和长江存储三家企业通过深度合作，成功攻克了TSV(硅通孔)工艺这一核心技术瓶颈。长江存储混合键合专利，已量产270层堆栈的3D闪存，具备先进封装工艺能力，该技术已成功应用于NAND Flash，理论上也可用于HBM内存的键合与封装，长鑫存储将HBM3热合键工艺外包给长江存储，利用后者在混合键合技术上的优势，提升HBM3的良率和性能，初期国产HBM3热合键良率仅60%，经过3个月优化提升至89%。使用新型低介电常数封装材料的应用，使HBM的散热性能提升了36%。华为昇腾团队开发了并行测试技术，将测试时间缩短40%；自研HiBL 1.0和HiZQ 2.0技术，通过材料创新和封装工艺提升，使HBM3带宽达1.6TB/s(HiBL 1.0)至4TB/s(HiZQ 2.0)。
中国企业HBM布局情况
| 企业 | 布局情况 |
| 长鑫存储 | 母公司睿力集成透过一家上海子公司与当地政府签署一份合约以获得土地。最新消息显示睿力集成计划投资至少171亿人民币在这块土地上建造一座先进封装厂，新工厂位于浦东，预估将于2026年中投产。该新厂将专注于各种先进封装技术，如用硅穿孔(TSV)互联实现内存堆栈，制造应用在人工智能的高带宽存储器。 |
| 武汉新芯 | 公司《高带宽存储芯粒先进封装技术研发和产线建设》招标项目，将利用三维集成多晶圆堆叠技术，打造更高容量、更大带宽、更小功耗和更高生产效率的国产高带宽存储器(HBM)产品。 |
| 紫光国微 | 公司图像 AI 智能芯片已完成研发并在推广中实现用户选用，HBM芯片处于样品系统集成验证阶段 |
| 太极实业 | 旗下的海太半导体(持有55%股权)与SK海力士合资，专为SK海力士提供DRAM封装测试业务 |
| 通富微电 | 公司2.5D/3D 生产线建成后，将实现国内在HBM高性能封装技术领域的突破 |
| 国芯科技 | 正和上下游合作厂家积极开展包括HBM技术在内的高端芯片封装合作，目前正在研究规划合封多HBM内存的2.5D 的芯片封装技术，积极推进chiplet技术的研发和应用 |
| 长电科技 | 公司推出的XDFOI高性能封装技术平台可以支持HBM的封装要求 |
| 华天科技 | 公司已经完成了基于TVS 工艺的3D DRAM封装技术开发 |
| 晶方科技 | 掌握 TSV(硅穿孔)等先进封装技术 |
| 江波龙 | 公司子公司元成苏州具备晶圆高堆叠封装(HBM技术涉及的一部分)的量产能力，但目前无法生产HBM |
资料来源：观研天下整理（zlj）
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