国内存储芯片市场占比持续提升，AI驱动下存储需求有望延续复苏态势

2025-11-04 09:23

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一、存储器是数字信息的载体，是IT基础设施三大核心板块之一

半导体存储器也叫存储芯片，是指利用磁性材料或半导体等材料作为介质进行信息存储的器件，其存储与读取过程体现为电荷的贮存或释放。它是电子系统中存储和计算数据的载体，是应用面最广、市场比例最高的集成电路基础性产品之一。IT基础设施总体分为计算、存储和通信三大板块，分别以处理器、存储器、交换机/路由器等为核心产品。数字经济的发展与IT基础设施产业互为表里、相辅相成，而存储板块在数字经济的发展中具备先导性和需求刚性，数字经济规模的高速增长推动存储行业蓬勃发展。

资料来源：观研天下数据中心整理

半导体行业分为集成电路、光电器件、分立器件、传感器等子行业，根据功能的不同，集成电路又可以分为存储器、逻辑电路、模拟电路、微处理器等细分领域。根据世界半导体贸易统计组织(WSTS)的统计，2024年，全球半导体市场销售额约6305.49亿美元，其中，逻辑电路销售额约为2157.68亿美元，存储芯片销售额约为1655.16亿美元。

数据来源：世界半导体贸易统计组织(WSTS)，观研天下数据中心整理

存储器分类：易失性存储、非易失性存储。按照是否需要持续通电以维持数据，半导体存储器可分为易失性存储和非易失性存储。其中易失存储芯片主要包含静态随机存取存储器（SRAM）和动态随机存取存储器（DRAM）；非易失性存储器主要包括可编程只读存储器（PROM），闪存存储器（Flash）和可擦除可编程只读寄存器（EPROM/EEPROM）等。

易失性存储：主要指随机存取存储器（RAM），需要维持通电以临时保存数据供主系统CPU读写和处理。由于RAM可以实现对数据的高速读写，因此通常作为操作系统或其他正在运行中的程序的临时数据存储媒介。

RAM根据是否需要周期性刷新以维持数据存储，进一步分为动态随机存取存储器（DRAM）和静态随机存取存储器（SRAM）。动态随机存取存储器（DRAM）需要在维持通电的同时，通过周期性刷新来维持数据，故称“动态”存储器。DRAM结构简单，因此单位面积的存储密度显著高于SRAM，但访问速度慢于SRAM；此外，由于DRAM需要周期性刷新以维持正确的数据，因此功耗较SRAM更高。DRAM作为一种高密度的易失性存储器，主要用作CPU处理数据的临时存储装置，广泛应用于智能手机、个人电脑、服务器等主流应用市场。

非易失性存储：主要指只读存储器（ROM），无需持续通电亦能长久保存数据。早期的ROM产品信息首次写入后即固定下来，以非破坏性读出方式工作，只能读出而无法修改或再次写入信息，故称“只读”存储器。ROM经过不断演变发展，经过掩膜只读存储器（MaskROM）、可编程只读存储器（PROM）、可编程可擦除只读存储器（EPROM）、电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）和快闪存储器（Flash）等阶段，已经突破原有的“只读”限制。

存储芯片分类

<strong>存储芯片分类</strong>

资料来源：观研天下数据中心整理

二、供给端：存储芯片长期由国外主导，近年国内占比持续提升

我国存储芯片行业市场规模不断扩大，2023年中国半导体存储器市场规模约为3943亿元，2024年约为4267元，预计2025年市场规模将达4580亿元。目前存储芯片市场主要以DRAM和NANDFlash为主。其中，DRAM市场规模最大，占比约为55.9%，NANDFlash占比约为44.0%。

数据来源：观研天下数据中心整理

存储芯片的设计与制造产业具有很高的技术和资本门槛，半导体存储技术的诞生及演进特点，决定了全球存储芯片市场长期由韩国、美国和日本的少数企业主导。与此同时，以长江存储、长鑫存储为代表的国内存储芯片厂商在技术进步和产能扩张方面持续展现出强劲的发展势头，这也为国内独立存储器厂商的发展带来了更多的契机。从市场集中度来看，DRAM存储器市场份额高度集中，主要被三星、SK海力士和美光三者垄断。根据芯存社数据，2024年三家企业市场份额分别为36.5%、35%和21.5%，竞争格局稳定，国内存储厂商长鑫存储的市场份额约为5%-6%。NANDFlash全球市场2024年前五企业分别为三星（33.5%）、SK海力士（19%）、铠侠（17.5%）、美光（12%）、西部数据（10.5%）。国内存储厂商长江存储作为后进者，在2024年达到了约5%-6%的市场份额。

在供应端，从各大存储原厂的财报都可看出，存储原厂基于稳住价格跌幅、保证利润的策略重心，减少旧产能、聚焦先进制程产品的生产以及技术的迁移。整个资本支出将更多投入到更先进封装或研发上，更侧重于HBM、1c、1γ和200层、300层这些先进产能。而整体wafer产出相比以往的增量将减少很多。

在技术路线上，NAND将继续朝更高堆叠发展，2025年将进入300层以上的时代，同时混合键合技术已经成为NANDFlash重要的技术发展方向，存储原厂持续通过优化技术架构和材料，克服超高层NANDFlash的量产挑战。在DRAM方面，2025年更会看到在1c、1γ这些DRAM制程上的演进。

数据来源：观研天下数据中心整理

三、需求端：AI驱动存储需求有望延续复苏态势

根据观研报告网发布的《中国存储芯片行业发展现状分析与投资前景研究报告（2025-2032年）》显示，半导体存储产业链的下游应用场景极为丰富，覆盖了从个人消费电子到数据中心的广泛领域。智能手机、PC、可穿戴设备等消费电子产品的迭代升级，以及数据中心、云计算、自动驾驶、物联网等新兴技术的快速发展，推动数据规模持续增长，根据灼识咨询数据，每年生产的数据总量从2013年的约10ZB增至2023年的约130ZB，到2028年将达到近400ZB，数据规模持续增长为半导体存储产业发展提供了长期动能。

随着全球数字化步伐的加快，对智能化服务的需求急剧上升，尤其是在自然语言处理、数据分析等关键AI技术领域。全球云服务提供商纷纷加大服务器等AI基础设施投入，推动了服务器市场迅速增长。根据浪潮信息与IDC联合发布的《2025年中国人工智能计算力发展评估报告》，2024年中国人工智能算力（AI服务器）市场规模为190亿美元，2025年将达到259亿美元，同比增长36.2%，2028年市场规模将达到552亿美元。

数据来源：浪潮信息＆IDC，《2025年中国人工智能计算力发展评估报告》

AI算力投资和端侧应用需求延续，带动存储位元需求扩容。随着AI训练和推理对算力需求的快速增长，数据中心对HBM、大容量DDR5及企业级SSD的存储需求同步增加，AI与云服务成为存储需求核心驱动力。根据金融界援引Bloomberg数据，2025年Meta、谷歌、亚马逊和微软合计资本开支预计达2972亿美元，同比增长36.8%。微软在2024财年基础设施投资已超800亿美元，并明确未来三年保持同等投资强度，重点覆盖AI算力需求。

国内方面，云服务商和电信运营商算力资本开支有望维持和加码，根据财联社消息，阿里巴巴宣布未来三年将投入3800亿元用于云和AI基础设施。另外，根据IT之家及腾讯控股2024年第四季度及全年业绩交流会消息，腾讯资本开支连续四个季度实现同比三位数增长，2024年度突破767亿元，同比增长221%，创下历史新高，公司2024年资本开支占营收比例12%，2025年指引为低双位数。中国联通年报显示，公司2024年算力投资同比上升19%，2025年算力投资预计同比增长28%，公司预计固定资产投资在人民币550亿元左右，加快推进IDC向AIDC、通算向智算升级。

根据闪存市场预测数据，DRAM位元需求2025/2026年分别有望同比增长15%/17%，NAND位元需求2025/2026年分别有望同比增长12%/15%，同比增速较2024年有望加速。