一、新能源汽车是氮化硅AMB陶瓷基板绝对核心需求锚点,高端SiC模块驱动下产品规格从 0.32 mm 向 0.25 mm 演进
根据观研报告网发布的《中国氮化硅AMB陶瓷基板行业现状深度分析与投资前景研究报告(2026-2033年)》显示,氮化硅AMB陶瓷基板(Si₃N₄ Active Metal Brazed),是以氮化硅陶瓷片为核心绝缘、承载与热机械支撑基材,通过活性金属钎焊(AMB)工艺,将铜箔/铜板与陶瓷基体实现高强度冶金结合,再经线路成型、表面处理、分切加工后,形成可直接用于功率半导体封装的单片或母板类基板产品。
该产品集成了高绝缘性能、优异机械强度、超高断裂韧性、低热阻、优异热循环可靠性与高载流能力等多重优势,完美适配SiC MOSFET、Si IGBT等第三代、传统硅基高功率密度半导体模块的封装需求,是高端功率器件的核心封装载体。
相较于行业传统氧化铝DBC陶瓷基板,Si₃N₄ AMB更强调高温循环、冷热冲击、厚铜承载和车规长期可靠性,因此在新能源汽车主驱逆变器、800V高压平台、DC/DC、OBC、轨交牵引、新能源发电及储能变流器等场景中价值更高。
氧化铝DBC陶瓷基板及氮化硅AMB陶瓷基板对比
| 对比维度 | 氧化铝(Al₂O₃)DBC基板 | 氮化硅(Si₃N₄)AMB基板 |
| 基板材料特性 | 导热系数:约24W/m·K抗弯强度:约300MPa热膨胀系数:约6-8ppm/K | 导热系数:约70-90W/m·K抗弯强度:超过700MPa热膨胀系数:约2.4-3.0ppm/K |
| 金属化工艺 | DBC(直接覆铜):利用铜-氧共晶反应将铜直接键合在氧化陶瓷表面。 | AMB(活性金属钎焊):利用含Ti、Zr等活性元素的钎料实现铜与陶瓷的高强度钎焊。 |
| 温度循环可靠性 | 约300-500次(在25℃至175℃循环下易开裂)。 | 超过3000次循环,抗热震性能极佳。 |
| 铜层厚度 | 通常为100-600μm | 可承载更厚铜层,可达800μm |
| 应用场景 | 工业控制、白色家电、光伏逆变器、中低压IGBT模块 | 车规级SiC功率模块首选、高铁、高压变流器、航天军工。 |
| 成本与市场定位 | 成本低,工艺成熟,主打性价比,是工业领域的主流方案 | 成本高(金属化价格约为白板的3倍以上),主打高性能、高可靠性,是高端车规与工业应用的核心材料。 |
资料来源:观研天下整理
当前氮化硅AMB陶瓷基板行业需求高度集中,新能源汽车是绝对核心需求锚点,应用收入占比超80%,核心受益于800V高压平台普及与SiC车载模块规模化渗透。其余细分市场需求特征各有差异、增速相对分化。新能源与电网场景涵盖光伏逆变器、风电变流器、储能PCS、柔性直流输电、新能源充电桩等领域,产品技术适配性极强,但整体市场增速低于新能源汽车主驱市场。轨交、军工航天与工业驱动场景对基板可靠性、稳定性、使用寿命要求极致严苛,但需求呈现项目化、定制化、分散化特征,且认证周期漫长,整体市场占比相对有限。
数据来源:观研天下数据中心整理
从细分市场结构看, SiN AMB 陶瓷基板市场主要包括0.32mm Si₃N₄ AMB基板和0.25mm Si₃N₄ AMB基板;按铜层厚度划分,常见规格包括0.3mm、0.5mm、0.8mm及其他定制厚度;按工艺路线和性能定位,还可区分为标准含银AMB、低银/银替代AMB、Ag-free AMB、厚铜AMB、高热循环寿命AMB以及按客户图纸定制的母板或分切单元。
由于0.32mm产品在机械强度、热循环可靠性、翘曲控制、良率和成本之间更均衡,更适合车规大批量平台,目前仍是主流,占比接近九成;0.25mm产品占比相对较低,但因其有利于降低热阻、减薄模块结构、提升功率密度,未来增速预计高于0.32mm产品,主要面向高端SiC模块、紧凑型电驱系统和对热管理要求更严苛的下一代平台。
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二、中国氮化硅AMB陶瓷基板处于车规SiC功率模块放量驱动的高成长阶段,国产厂商加速进入头部区间
中国氮化硅AMB陶瓷基板处于车规SiC功率模块放量驱动的高成长阶段,过去几年行业由进口主导的小众市场进入国产化扩产周期,核心原因包括新能源汽车高压化、SiC MOSFET在主驱逆变器中的渗透率提升、国产SiC模块封装产能扩张、功率模块向高功率密度和长寿命方向升级,以及国内车企和功率半导体客户对短交期、定制化、成本可控和本地协同开发的要求提高。
根据数据,2025年我国氮化硅AMB陶瓷基板市场规模达2.65亿美元,预计2032年我国氮化硅AMB陶瓷基板市场规模将达9.53亿美元,2025-2032年复合增长率达19.2%。
数据来源:观研天下数据中心整理
当前氮化硅AMB陶瓷基板国产替代全面提速,国产厂商进入头部区间,外资龙头退居二线。数据显示,江苏富乐华以33%的份额稳居第一,凭借其在江苏、四川等地的大规模产能释放,确立了绝对的规模优势;比亚迪以超20%的市场份额位居第二,其特殊优势在于其全产业链垂直整合能力,作为整机厂与自供体系深度融合,其份额具有很强的抗周期稳定性,两者合计占据了国内半壁江山。此外浙江德汇电子与博敏电子分列第三、第五位,前五名中有四家为中国企业。
而传统欧美老牌龙头罗杰斯(Rogers Corporation)和贺利氏(Heraeus Electronics)市场份额则退居第四、第六位,且双双跌破15%的历史区间。这一变化表明,在新能源汽车与碳化硅功率模块快速放量的带动下,中国本土企业凭借更快的响应速度、更低的制造成本以及不断突破的良率,加速蚕食原本属于日德老牌厂商的领地。
从前六强份额区间来看,虽头部集中度极高,但腰部企业仍有较大博弈空间。未来竞争焦点将从单纯的“产能竞赛”转向“车规级验证壁垒、上游高端氮化硅粉体自主可控以及无银钎焊等降本工艺”的较量。在这一轮国产化浪潮中,具备优质客户认证(如比亚迪、博敏电子背靠头部车企/电池厂)及全链条成本控制能力的企业将持续受益,中国厂商在全球AMB基板领域的定价权与话语权正加速提升。
数据来源:观研天下数据中心整理
三、无银工艺渐成标配,氮化硅AMB陶瓷基板行业将迈向规模化主流市场
传统AMB工艺依赖含银(Ag-based)钎焊膏,银作为贵金属,其价格波动直接影响基板成本,且高银含量带来了一定的银迁移风险。以无银(Ag-free)技术为代表的AMB 2.0工艺成为破局关键。
德国贺利氏(Heraeus)已率先在全球推出Condura®.ultra无银AMB基板,其核心在于通过优化活性金属钎焊配方,在不牺牲关键性能的前提下彻底摒弃贵金属依赖,从而规避银价波动风险。该产品在保持热导率≥80 W/m·K、抗弯强度≥700 MPa的同时,实现了更优的成本结构。贺利氏已将此技术引入中国常熟工厂进行规模化生产。
国内头部企业同样在加速追赶。富乐德(Ferrotec)在2026年半年度报告中披露,其AMB产品已“在全球范围内率先使用无银焊片工艺”,并在铜瓷结合焊缝均匀性上获得国际主流客户认可。这表明无银工艺正从技术标杆走向产业标配,成为企业构建差异化竞争优势的核心手段。
国内外氮化硅AMB陶瓷基板无银工艺布局情况
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地区 |
代表企业 |
无银工艺进展与布局 |
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海外 |
贺利氏 (Heraeus) |
全球发布并规模化量产Condura®.ultra 无银 AMB 基板;常熟 AMB2.0 产线落地,导入无银钎焊工艺,自动化产线实现大批量供货,面向国内新能源车企供应车规级无银 AMB 基板。 |
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国内 |
富乐德 |
完成无银钎焊工艺开发,实现无银 AMB 产品小批量送样验证,产品可靠性接受国际主流客户测试;依托氮化硅陶瓷自主制备能力推进无银工艺迭代。 |
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漠石科技 |
自主开发低成本无银钎焊浆料体系;2024 年 10 月取得 IATF16949 车规质量认证;产品完成军工、新能源客户验证;现有 50 万片 / 年 AMB 产线,规划建设百万片级 AMB 规模化产线(无锡惠山项目)。 |
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威斯派尔 |
推出 WSP65‑02A 氮化硅 AMB 基板,采用无银活性金属钎焊工艺;产品已对外送样,面向车载、光伏功率模块开展客户验证,暂未大规模量产。 |
资料来源:观研天下整理(zlj)
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