政策红利释、AI算力爆发、显示面板支撑 我国靶材行业迎来量价齐升黄金发展期

前言：

在AI算力爆发与显示产业向中国转移的双重驱动下，我国靶材行业迎来“量价齐升”的黄金发展期。数据显示，中国高性能溅射靶材市场规模已从2017年的185亿元增长至2020年的283亿元，预计2026年将达653亿元，年复合增长率约15%。需求端，AI创新周期推动7nm以下先进制程对铜互连靶材、钴阻挡层靶材需求激增，存储芯片HBM的堆叠结构更依赖多层薄膜沉积；显示产业方面，中国大陆面板产能占全球比重已超60%，大尺寸化、高刷新率趋势推动ITO、铜靶、钼合金等靶材用量持续提升。政策端更是红利密集——四部门联合发文明确加快在高纯靶材等领域实现突破，广州将高纯靶材列为“十五五”集成电路补短板重点方向，有望在资金、土地等方面给予倾斜。

1、靶材——半导体与显示产业的“隐形基石”

根据观研报告网发布的《中国靶材行业发展现状分析与投资前景预测报告（2026-2033年）》显示，溅射靶材是指通过专用设备采用物理气相沉积（PVD）技术在基材上制备薄膜的原材料，是高速荷能粒子轰击的目标材料。作为PVD工艺的核心耗材，靶材广泛应用于半导体集成电路、平板显示、太阳能电池等高端制造领域，其技术门槛极高，需满足高纯度（通常99.999%以上）、高密度、高均匀性等严苛要求，是支撑先进制程芯片和大尺寸面板的关键材料。

溅射靶材工作原理

资料来源：公开资料整理

在产业链方面，靶材产业链涵盖上游金属提纯与加工、中游靶材制造、下游应用三大环节。具体来看，靶材行业上游包括高纯铜、铝、钛、钽、钴、铟等金属的提纯与加工。高纯金属（纯度通常要求4N5至6N以上）是靶材制造的核心原料，技术壁垒高，长期以来依赖进口。江丰电子等国内企业已实现高纯钛、钽等金属的自主可控。

中游为靶材制造，涵盖粉末冶金、熔炼铸造、绑定焊接、精密加工等环节。技术难点在于晶粒尺寸控制、大尺寸成型（G11代线靶材可达3米以上）、背板绑定技术等。全球高端市场由JX金属、霍尼韦尔、东曹等海外巨头主导，国内企业正加速追赶。靶材下游应用于半导体、显示面板、太阳能电池。

靶材产业链图解

资料来源：观研天下整理

2、四部门联合推动高纯靶材突破，广州等地将高纯靶材列为重点方向

近年来，国家出台了多项政策支持靶材行业发展。例如，2020年，国家发改委、科技部、工信部、财政部等四部门联合印发《关于扩大战略性新兴产业投资 培育壮大新增长点增长极的指导意见》，明确提出加快在光刻胶、高纯靶材、高温合金等领域实现突破。这一政策从国家战略层面确立了靶材作为关键材料的重要性，为国产替代提供了顶层政策支持。

《关于扩大战略性新兴产业投资 培育壮大新增长点增长极的指导意见》

资料来源：发改委

与此同时，广州等地将高纯靶材列为重点方向。例如，2026年1月，广州市发布《关于“十五五”时期全链条推动集成电路产业高质量发展的若干政策（征求意见稿）》，明确提出“集聚发展光掩膜、光刻胶、电子气体、高纯靶材、大硅片等制造材料生产线”。这意味着在“十五五”时期，地方政府将高纯靶材列为集成电路产业链补短板的重要环节，有望在资金、土地、人才等方面给予政策倾斜。

3、AI+显示双轮驱动，我国靶材市场空间持续扩容

AI创新周期是靶材市场增长的核心驱动力。数据显示，2024年我国智算中心新增机架数超30万，2025年智能算力规模约为1037.3EFLOPS。同时，AI算力需求推动芯片向3D封装、Chiplet等异构集成演进，PVD工艺在TSV（硅通孔）、RDL（重布线层）等环节的应用显著增加。而且，7nm以下先进制程对铜互连靶材、钴阻挡层靶材的需求激增，存储芯片（如HBM高带宽内存）的堆叠结构也依赖更多层薄膜沉积。

数据来源：观研天下整理

显示面板则为靶材市场需求提供稳定支撑。目前全球 LCD 产能已全面向中国大陆转移并完成承接，而OLED则正处于中韩双强、本土追赶的关键承接期。溅射靶材是集成电路生产的关键先进材料，主要应用于晶圆制造和芯片封装两大环节：在晶圆制造过程中，溅射靶材被用作金属溅镀材料，用于导电层、阻挡层和接触层等关键部分的制备；芯片封装环节，溅射靶材则被用于贴片焊线的镀膜处理。现阶段，大尺寸化（G8.5以上）、高刷新率、柔性化趋势推动靶材用量提升，尤其ITO、铜靶、钼合金等靶材需求持续增长。

资料来源：观研天下整理

因此，在上述因素驱动下，我国靶材行业市场空间扩容。根据数据，我国高性能溅射靶材行业市场规模从2017年的185亿元增长至2020年的283亿元，年复合增长率15.2%；预计2026年将增长至653亿元，年复合增长率约15%。（WYD）