我国存储芯片市场自主可控需求迫切 政策持续推动国产化

一、存储芯片下游需求旺盛，芯片产品价格波动较大

随着5G、人工智能（AI）、车联网和云计算等新一代信息技术的快速迭代，海量数据的生成与处理已成为常态，数据存储市场正经历着前所未有的井喷式增长。

高性能存储芯片包括动态随机存取存储器（DRAM）、闪存（NAND Flash）、高带宽存储器（HBM）等，具有高读写速度、大容量、低功耗、高可靠性、强稳定性、数据传输快速等特点，能够满足智能手机等移动设备、数据中心与云计算、人工智能（AI）与机器学习、汽车电子、安防监控、航空航天等对存储有高要求应用领域的需求。

根据观研报告网发布的《中国存储芯片行业发展趋势分析与投资前景研究报告（2025-2032年）》显示，随着AI大模型和AI服务器的持续进化，市场对高性能存储芯片的需求将达到前所未有的高度。同时，随着手机、个人计算机等计算终端对大模型的积极采纳，消费电子产品对存储芯片的需求也将持续增长。

不同存储芯片特点及应用场景

资料来源：观研天下数据中心整理

由于内核存储器、主存储器、外部存储器之间均存在较大的读写速度差距,形成了制约整个系统性能的“存储墙”。而随着处理器速度和核数的持续增长,存储墙对系统性能的限制愈发明显。同时，物联网、智能传感器、人工智能等特定应用的发展也对极低功耗的高性能存储器提出了新的产业化需求。新型存储器采用与现有DRAM和NAND Flash等成熟存储器截然不同的存储原理，能够满足未来更加多样化的存储需求。

2024年存储价格呈现波动态势，存储原厂营收规模持续增长，为保持盈利势头各大存储原厂谨慎应对，开启新一轮减产。美光2024年12月已宣布NAND晶圆将减产10%；2025年1月，三星的西安工厂NAND产能减少超过10%，韩国国内的产线也在做调整，整体产能处在下调阶段；SK海力士计划在2025年上半年将NAND产量减少10%；铠侠同样在2024年12月就开始实施减产。原厂坚决的减产措施，帮助市场快速建立新的供需平衡，存储价格快速企稳，并为未来价格反弹奠定基础。

（一）NAND Flash存储芯片

NAND Flash存储器是Flash存储器的一种，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。具有容量较大，改写速度快等优点，适用于大量数据的存储，因而在业界得到了越来越多的使用，广泛应用于嵌入式产品中，包括数码相机、MP3随身听记忆卡、体积小巧的USB闪存盘等。

截止2025年5月16日，市场1Tb TLC产品价格较1Tb QLC高12.87%，其中，1Tb QLC产品价格较2025年1月1日同比上涨7.45%，整体涨幅高于1Tb TLC产品，同期1Tb TLC产品价格涨幅约1.79%

资料来源：观研天下数据中心整理

整体随着服务器终端库存调整的逐步完成以及AI对大容量存储产品需求的强劲推动，呈增长趋势。各大厂商通过研发3D NAND，提升闪存的存储密度，如三星集团、美光科技有限公司等国际企业都在积极探索更高层数的堆叠技术。

传统应用领域需求稳定，如固态硬盘（SSD）、USB闪存盘、存储卡、智能手机、平板电脑等，此外，智能手机的存储容量不断提升，对 NAND Flash 的需求也在增加；新兴应用领域带来新机遇，AI、物联网、汽车电子等新兴应用领域对NAND Flash的需求在不断增长，为NAND Flash带来了新的市场机遇。

（二）DRAM存储芯片

DRAM是一种半导体存储器，与大部分的随机存取存储器（RAM）一样，DRAM中的数据会在电力切断后很快消失，因此它属于一种易失性存储器设备。受消费电子市场需求变化、宏观经济形势等因素影响，价格波动仍将是DRAM行业面临的一个挑战。截止2025年5月13日，DDR4 16Gb 3200和DDR4 8Gb 3200两类产品价格较2025年1与1日同比上涨36.36%和39.13%，涨幅明显。

资料来源：观研天下数据中心整理

从长期来看，随着云计算、人工智能、物联网等技术的不断发展，DRAM市场规模有望继续增长，预计到2031年全球DRAM市场规模将达到1263.2亿美元。此外，由于智能网联汽车以及自动驾驶的发展，车用DRAM将创造新增量。随着制程工艺的不断缩小，DRAM的制造难度越来越大，因此从2D架构转向3D架构成为未来发展的主要方向之一。

二、全球存储芯片市场高度垄断，本土存储芯片持续发力

存储芯片行业高度垄断，寡头占全球市场份额90%以上。存储芯片产业的技术、专利、人才几乎都被几家寡头企业掌握。以DRAM产业为例，在全球发展了几十年，制程技术持续进步，在架构、制程、设计、接口、测试、系统等方面存在很多专利，且绝大部分控制在三星、海力士和美光手中。新进者是否拥有合规的技术来源以及自主创新能力成为立足发展的关键。

存储芯片制造业是个重资产行业，前期研发需要耗费大量的资金，设备折旧快，需要持续性投入、长远稳定的政策和大量的技术积累，往往也需要经历多年的亏损才能盈利。而且既得利益的寡头企业可以通过操纵市场价格、胁迫客户签署排他性条款等手段来阻止行业的新进入者。

在DRAM和NAND Flash两种存储芯片市场三星、海力士和美光在这两个细分市场中占据主导地位，全球市场份额分别达到44%、28%和23%。

资料来源：公开资料整理

在国家对半导体产业的大力扶持下，我国存储芯片行业呈现出蓬勃发展的态势，国内本土存储芯片公司主要包括长江存储、长鑫存储、兆易创新、德明利、江波龙、佰维存储和深科技。

行业地位来看，长江存储是中国最大3D NAND芯片制造商,是唯一能与三星、铠侠等大厂竞争的陆企；兆易创新是主要产品为闪存芯片，半导体存储器领域领导企业；深科技是国内最大的独立DRAM内存芯片封测企业，全球第二大硬盘磁头制造商；德明利是在全球存储卡、存储盘等移动存储领域拥有一定市场份额。

国内存储芯片行业重点企业

名称	品牌	产品简介
长江存储		2017年10月，长江存储通过自主研发和国际合作相结合的方式，成功设计制造了中国首款3D NAND闪存。2019年9月，搭载长江存储自主创新 Xtacking®架构的第二代TLC 3D NAND闪存正式量产。2020年4月，长江存储宣布第三代TLC/QLC两款产品研发成功，其中X2-6070型号作为首款第三代QLC闪存，拥有发布之时业界最高的I/O速度，最高的存储密度和最高的单颗容量。长江存储基于晶栈Xtacking 4.0架构推出了用于Al算力中心的全新PCle 5.0企业级固态硬盘PE511，该产品性能相较上一代Gen4产品提升100%，新增16TB和32TB容量，DWPD(每日全盘写入次数)可擦写次数提升20%。PE511预计将于2025年发布并量产进一步满足AI数据中心对大容量、高性能存储的需求。
长鑫存储		2023年长鑫存储推出了最新LPDDR5 DRAM存储芯片，成为国内首家推出自主研发生产的LPDDR5产品的品牌，实现了国内市场零的突破。与上一代LPDDR4相比，长鑫LPDDR5单一颗粒的容量和速率均提升50%，分别达12Gb和6400Mbps，同时功耗降低30%。从产品应用和市场空间上看，LPDDR5芯片能够为其搭载的移动端电子设备带来更快的速度体验和更低的功耗消耗。
兆易创新		兆易创新在2013年推出业界第一颗SPI NAND Flash，经过多年的发展，在消费电子、工业、汽车电子等领域已经实现了全品类的产品覆盖。兆易创新的SPI NAND Flash内置可开关ECC模块，支持QSPI接口，具有高速，高可靠性，低功耗的特点。相较于传统并行接口，具有封装体积小，引脚少，易于使用的优势，并且可以与SPI NOR Flash共用Layout设计，易于切换。自推出以来就得到了用户的广泛好评，是嵌入式应用代码数据存储的重要解决方案2024年，公司根据市场需求及产品技术迭代变化，将DRAM募集资金项目的用途由原计划研发四种产品DDR3、DDR4、LPDDR3和LPDDR4调整为DDR3、DDR4、LPDDR4和LPDDR5，其中，LPDDR4预计在2025年下半年贡献收入。
德明利		2024年公司面向高性能应用领域，推出了M.2 2280 NVMe PCIe 5.0 x4 SSD，顺序读写性能达到14100/12200MB/s，容量规格设定为 1TB-8TB，显著降低数据传输的延迟，内置智能电源管理模块，确保在高性能运行的同时保持低功耗和高稳定性，广泛支持AI+技术，满足大数据、云计算和高性能计算的存储需求。
江波龙		2024年江波龙率先实现了基于QLC闪存颗粒的eMMC量产出货，QLCeMMC以其大容量及价格优势为公司保持eMMC的领先地位提供新的动。2023年底开始公司已量产LPDDR5产品，基于未来对更高数据传输速率的需求，LPDDR5X产品已量产，且在客户端实现批量的交付。公司的LPDDR产品已获得联发科技、紫光展锐及晶晨半导体等主流平台的认证，而且产品经过严格的可靠性测试，以确保卓越的性能及耐用性。
佰维存储		佰维存储ePOP等代表性存储产品具有低功耗、快响应、轻薄小巧等优势，产品表现出色，已进入Meta、Rokid、雷鸟创新等国内外知名AI/AR眼镜厂商，Google、小天才、小米等国内外知名智能穿戴厂商供应链体系。2024年智能穿戴存储产品收入超8亿元，同比大幅增长。2025年随着AI眼镜的放量，公司与Meta等重点客户的合作不断深入，将推动公司智能穿戴存储业务的持续增长。其中，公司为Ray-Ban Meta提供 ROM+RAM存储器芯片，是国内的主力供应商，公司在2024年荣获Meta Reality Labs“技术创新奖”佰维存储积极布局芯片研发与设计领域，第一款国产自研主控eMMC（SP1800）已成功量产，性能优异，目前已送样国内头部客户。；在手机应用方面，SP1800支持TLC及QLC颗粒，迎合手机存储QLC替代趋势，其解决方案将于2025年量产。
深科技		深科技在半导体封测产品包括 DRAM、NAND FLASH以及嵌入式存储芯片，具体有双倍速率同步动态随机存储器（DDR3、DDR4、DDR5）、低功耗双倍速率同步动态随机存储器（LPDDR3、LPDDR4、LPDDR5）、符合内嵌式存储器标准规格的低功耗双倍速率同步动态随机存储器（eMCP4）等。2024年公司规划布局的 Bumping（凸块）及RDL（再布线层）项目实现量产；超薄存储芯片PoPt封装技术（Package on Package top，叠层封装技术）实现量产；16层堆叠技术和 uMCP SiP（超小型多芯片封装系统级）封装技术具备量产能力，同时创新地进行 strip FO（条带式扇出型）封装技术的研发；优化多项仿真技术系统，提升研发效率；推动封测材料多元化，多款材料通过测试验证，并导入量产。

资料来源：企业财报，观研天下数据中心整理

三、本土存储芯片供不应求，自给率处于较低的水平

存储芯片作为信息的核心载体，其自主化程度与自给率严重关乎国家安全。2023年10月，工信部等六部门联合印发《算力基础设施高质量发展行动计划》，强调“持续提升存储产业能力，鼓励存储产品制造企业持续提升关键存储部件等自主研发制造水平”，以加快存储国产化进程；2024年5月，中央网信办、市场监管总局、工信部联合印发的《信息化标准建设行动计划（2024—2027年）》，明确提出加大先进计算芯片、新型存储芯片关键技术标准攻关；2025年2月，工信部组织开展算力强基揭榜行动，面向算力网络的计算、存储、网络、应用、绿色、安全等六大重点方向，聚焦安全监测与国产芯片创新，突破存储系统关键技术。

2024年，中国进口芯片总量达到5492亿块，同比增长14.51%，进口金额2.8万亿元人民币，同比增长10.36%。近年来，我国出口芯片的数量和金额同样实现了大幅增长，但贸易逆差仍高达2000多亿美元。

2019-2024年中国用作存储器的多元件集成电路产品进出口情况（单位：万个）

资料来源：海关总署，观研天下数据中心整理

2024年中国进口芯片中处理器及控制器占比约50%，其中，存储芯片占比约25%，这两大类芯片的高度依赖进口，不仅意味着我国在关键技术和产业链环节上存在短板，也直接影响了国家的信息安全和产业安全。

资料来源：海关总署，观研天下数据中心整理（cyy）