我国ArF光刻胶树脂单体行业分析：市场需求持续释放国产企业初步布局

2026-09-21 09:45

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前言：

ArF光刻胶树脂单体行业需求正受到四重因素的共振驱动：国内12英寸晶圆厂大规模建设直接拉动ArF光刻胶需求持续增长；28nm及以下先进制程推进推动单体向高纯度、精确分子量分布方向升级；DRAM和3D NAND存储芯片扩产贡献重要增量弹性；供应链安全战略下国产替代加速，为国内单体企业打开了关键的成长窗口。竞争格局上，以三菱化学、住友化学、信越化学、JSR、TOK为代表的国际巨头凭借全链条技术掌控和客户深度绑定，占据绝对主导地位；徐州博康、晶瑞电材、南大光电、彤程新材、上海新阳等国内破冰者正从单体合成或树脂聚合单一环节切入，部分产品进入中试或小批量验证阶段。核心博弈点集中于高纯单体合成工艺、金属杂质控制和批次一致性，率先在核心单体上实现稳定量产并通过光刻胶企业验证的企业，将打开国产替代的第一道缺口。

1、ArF光刻胶树脂单体定义及产业链图解

根据观研报告网发布的《中国ArF光刻胶树脂单体行业发展深度分析与投资前景预测报告（2026-2033年）》显示，ArF光刻胶树脂单体是ArF光刻胶（193nm光刻胶）的核心原材料，用于半导体制造中193nm波长光刻工艺。ArF光刻胶树脂通常为甲基丙烯酸酯类共聚物，其性能直接决定光刻胶的分辨率、灵敏度和耐蚀刻性。ArF光刻胶树脂单体主要包括甲基丙烯酸金刚烷酯、甲基丙烯酸内酯酯、甲基丙烯酸羟基金刚烷酯等品类，需满足超高纯度（金属杂质ppb级）、精确分子量分布和特定结构设计等严苛要求。

从产业链来看，ArF光刻胶树脂单体行业上游以甲基丙烯酸、金刚烷、内酯衍生物等基础化工原料为核心；中游为单体的合成与纯化，核心工艺涉及酯化反应、精密精馏、超纯化处理等；下游为ArF光刻胶制造企业，最终服务于集成电路晶圆制造（逻辑芯片、存储芯片）。

ArF光刻胶树脂单体行业产业链图解

资料来源：观研天下整理

2、先进制程与国产替代共振，我国ArF光刻胶树脂单体行业需求持续释放

当前，我国ArF光刻胶树脂单体需求正受到晶圆厂扩产、先进制程升级、存储芯片放量和国产替代加速四重因素的共振驱动。首先，国内12英寸晶圆厂大规模建设直接拉动ArF光刻胶需求持续增长，进而带动上游树脂单体需求放量；其次，随着28nm及以下先进制程推进，ArF光刻胶需求进一步增加，尤其是浸没式ArF光刻胶对树脂单体的纯度、分子量分布提出更高要求，推动单体向高端化升级。

截至2026年9月我国部分12英寸晶圆厂大规模建设情况

企业	项目/基地	城市	投资额	规划月产能（万片）	制程节点	主要产品方向	最新进展
中芯国际	中芯京城	北京	约76亿美元	10	28nm及以上	逻辑、CIS、DDIC等	一期投产，产能爬坡
中芯国际	中芯东方（临港）	上海	约88.7亿美元	10	28nm及以上	逻辑、特色工艺	持续爬产
中芯国际	中芯西青	天津	约75亿美元	10	28nm及以上	逻辑、模拟、功率	建设/投产推进中
中芯国际	中芯深圳	深圳	约23.5亿美元	4	28nm及以上	逻辑、CIS	已投产
中芯国际	中芯北方整合	北京	—	12英寸	逻辑、射频、高压	逻辑、射频、高压等	2025年底完成股权收购，成为全资子公司
华虹半导体	无锡九厂（Fab9 A+9B）	无锡	67亿美元	8.3	55—40nm	车规芯片、功率、模拟、eNVM	Fab9A20 26Q3达满产；Fab9B 2026年3月开工
晶合集成	合肥四期	合肥	355亿元	5.5	40/28nm	CIS、OLED驱动、逻辑	2026年1月启动，Q4设备进场
长鑫存储	合肥DRAM扩产	合肥	—	约12	10nm级（1x/1y/1z）	DRAM存储器	持续爬产
长江存储	武汉3D NAND扩产	武汉	—	约10	128/232层，向300层+	3DNAND闪存	持续扩产
士兰微	厦门12英寸	厦门	200亿元	4.5	高端模拟	模拟IC	一期2027Q4投产
华润微	深圳12英寸	深圳	约220亿元	4	40nm+	功率、模拟	2024年12月通线投产
华润微	无锡12英寸	无锡	—	3	40nm+	功率、模拟	已投产/扩产
粤芯半导体	广州四期	广州	252亿元	4	65—22nm	硅光、存储CIS、OLED	2026年1月启动建设
芯联集成	绍兴四期	绍兴	200亿元	5	40/28nm；90/55nm	车规MCU/DSP、BCD模拟	2026年6月签署增资协议
增芯科技	广州12英寸MEMS	广州	370亿元（总计）	2（一期）	特色工艺	MEMS智能传感器	2024年6月投产
润鹏半导体	深圳12英寸	深圳	220亿元	4	40nm+	功率、模拟	2024年12月通线投产
燕东微/北电集成	北京12英寸	北京	330亿元	—	成熟制程	显示驱动、MCU	2025年募资进行中
安世半导体	临港12英寸	上海	120亿元	10（设计）	车规功率	功率半导体	产能爬坡中
积塔半导体	上海临港12英寸	上海	约359亿元	5	汽车电子、功率、特色工艺	汽车电子、功率半导体	已投产/扩产
格科微	上海临港12英寸CIS	上海	约22亿美元	2	90nm及以上	CIS图像传感器	已投产
闻泰科技/鼎泰匠芯	上海临港12英寸车规功率	上海	约120亿元	3	车规功率	功率半导体	已投产
杭州富芯	杭州12英寸模拟	杭州	约400亿元	5	模拟IC	模拟芯片	一期投产
重庆万国	重庆12英寸功率	重庆	—	2	功率半导体	功率器件	已投产

资料来源：观研天下整理

与此同时，DRAM和3D NAND等存储芯片对ArF光刻胶需求量较大，长鑫存储、长江存储持续扩产为树脂单体需求贡献重要增量；此外，在供应链安全战略驱动下，国内光刻胶企业对国产树脂单体的验证和导入意愿显著增强，国产替代加速为国内单体企业打开了关键的成长窗口。总体来看，晶圆厂扩产提供需求基本盘、先进制程升级推动产品高端化、存储芯片扩产贡献增量弹性、国产替代创造结构性机遇，四重逻辑层层递进、相互强化，共同推动我国ArF光刻胶树脂单体需求进入高速增长期。

存储芯片对ArF光刻胶需求量

存储芯片类型	代表企业/项目	典型制程节点	ArF光刻胶主要用途	ArF光刻层数（层）	单片消耗量（mL/片，12英寸）	每万片消耗量（吨/万片）
DRAM	长鑫存储、三星、SK海力士	1x/1y/1z/1α/1β	有源区、栅极、接触孔、位线、电容等关键层	15—25	20—35	0.21—0.37
3DNAND	长江存储、三星、SK海力士	128层/232层/300层+	外围CMOS电路关键光刻层	8—15	10—20	0.11—0.21
NORFlash	兆易创新、华邦、旺宏	55/45/40nm	关键光刻层	5—10	5—12	0.05—0.13

资料来源：观研天下整理

中国主要晶圆厂扩产及对ArF光刻胶需求拉动情况

企业	项目/基地	地点	投资额	现有/规划月产能（万片，12英寸）	制程节点	主要产品	最新进展	对ArF光刻胶需求拉动
长鑫存储	合肥DRAM一期/二期	合肥	—	现有约12，规划扩至20+	1x/1y /1z，向1α /1β推进	DRAM存储器	持续爬产，产能稳步扩张	关键层（有源区、栅极、接触孔、位线、电容等）需15—25层ArF光刻胶，产能扩张直接拉动需求量增长
长江存储	武汉3D NAND一期/二期	武汉	约240亿美元（一期）	现有约10，规划扩至15+	128层/232层，向300层+演进	3D NAND闪存	持续扩产，堆叠层数持续提升	外围CMOS电路关键光刻层需8—15层ArF光刻胶，堆叠层数增加带动外围电路复杂度提升
中芯国际	中芯京城/中芯东方/中芯西青等	北京/上海/天津/深圳	合计超260亿美元	合计规划约34—38	28nm及以上为主，部分14nm FinFET	逻辑芯片、CIS、DDIC、BCD、射频	多基地同步建设/爬产	28nm及以下制程需ArF光刻胶，先进制程（14nm及以下）ArF层数50—70层，需OPC/PSM
华虹半导体	无锡九厂（Fab 9A+9B）	无锡	67亿美元	8.3	55— 40nm	车规芯片、功率器件、模拟、eNVM	Fab9A 2026Q3达满产；Fab9B 2026年3月开工	55—40nm制程关键层需ArF光刻胶，车规芯片对缺陷控制要求严苛
晶合集成	合肥四期	合肥	355亿元	5.5	40/28nm	CIS、OLED驱动、逻辑	2026年1月启动，Q4设备进场	28nm制程掩模版层数约40层，ArF光刻胶需求随产能释放增长
士兰微	厦门12英寸	厦门	200亿元	4.5	高端模拟	模拟IC	一期2027Q4投产	高端模拟芯片关键层需ArF光刻胶，产能爬坡带动需求
华润微	深圳12英寸	深圳	约220亿元	4	40nm+	功率、模拟	2024年12月通线投产	40nm制程关键层需ArF光刻胶
粤芯半导体	广州四期	广州	252亿元	4	65—22nm	硅光、存储CIS、OLED	2026年1月启动建设	22nm制程需ArF光刻胶，硅光和OLED驱动芯片对精度要求高
芯联集成	绍兴四期	绍兴	200亿元	5	40/28nm；90/55nm	车规MCU/DSP、BCD模拟	2026年6月签署增资协议	28nm制程关键层需ArF光刻胶，车规芯片认证门槛高
兆易创新	NOR Flash代工（中芯国际等）	北京/上海等	—	约6—8（12英寸当量）	55/45 /40nm	NOR Flash	持续扩产	NORFlash关键层需5—10层ArF光刻胶
华邦电子	NOR Flash代工	台湾/大陆	—	约3—5	45/40nm	NOR Flash	稳定生产	关键层需ArF光刻胶，用量相对较小
旺宏电子	NOR Flash代工	台湾/大陆	—	约2—4	48/96层（主攻SLC/MLC）	NOR Flash、3D NAND	聚焦利基型存储	关键层需ArF光刻胶

资料来源：观研天下整理

3、国际巨头主导，我国ArF光刻胶树脂单体行业相关企业初步布局

从竞争格局看，我国ArF光刻胶树脂单体市场呈现“国际巨头主导、国内企业初步布局”的鲜明特征。具体而言，以三菱化学、住友化学、信越化学、JSR、TOK、陶氏杜邦等为代表的国际垄断者，凭借对单体合成、树脂聚合和光刻胶配方全链条技术的掌控，与全球头部晶圆厂深度绑定，构筑起专利和客户认证的双重壁垒，在市场中占据绝对主导地位。

与此同时，以徐州博康、晶瑞电材、南大光电、彤程新材、上海新阳等为代表的国内破冰者，正从单体合成或树脂聚合的单一环节切入，部分产品已进入中试或小批量验证阶段，但尚未形成规模化供应能力。此外，中科院化学所、上海有机所及部分高校等科研院所在单体合成路线、纯化工艺和聚合控制方面持续开展基础研究，为产业化提供了重要的技术储备。

ArF光刻胶树脂单体行业相关企业简介

竞争阵营	核心策略与市场地位	代表企业
国际垄断者	掌握单体合成、树脂聚合和光刻胶配方全链条技术，与全球头部晶圆厂深度绑定，形成专利和客户认证双重壁垒	三菱化学、住友化学、信越化学、JSR、TOK、陶氏杜邦等
国内破冰者	从单体合成或树脂聚合单一环节切入，部分产品进入中试或小批量验证阶段，尚未形成规模化供应	徐州博康、晶瑞电材、南大光电、彤程新材、上海新阳等
科研院所	在单体合成路线、纯化工艺和聚合控制方面开展基础研究，为产业化提供技术储备	中科院化学所、上海有机所、部分高校