碳化硅属于第三代半导体材料，在低功耗、小型化、高压、高频的应用场景有极大优势。碳化硅制作的器件具有耐高温、耐高压、高频、大功率、抗辐射等特点，具有开关速度快、效率高的优势，可大幅降低产品功耗、提高能量转换效率并减小产品体积，下游应用广泛，包括半导体器件、耐火材料、功能陶瓷、冶金原料、磨具磨料等。在碳化硅器件成本结构中，衬底成本约占50%。
碳化硅器件成本结构
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根据观研报告网发布的《2021年中国碳化硅行业分析报告-行业竞争现状与发展战略规划》，随着新能源汽车、工业电源行业发展，全球碳化硅器件需求增多，行业市场规模快速增长。数据显示，全球电力电子碳化硅市场规模为5.64亿美元，较上年同比增长31.2%；2020年，全球电力电子碳化硅市场规模约为6.03亿美元，较上年同比增长6.9%。
2018-2020年全球电力电子碳化硅市场规模、增速及预测
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现阶段，国际龙头企业占据碳化硅市场主要位置，其中美国Cree领先发展。数据显示，2020上半年美国Cree半导体SiC晶片出货量占据全球45%。
2020年H1全球半导体SiC晶片出货量占比情况
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从国内企业来看，经过十余年的技术自主研发，国内龙头碳化硅衬底企业已经掌握2-6英寸的碳化硅衬底制备方法，产品质量达到国际先进水平，并持续扩大投资碳化硅衬底项目，逐步提升市场份额。
国内厂商碳化硅投资情况
| 公司名称 | 地点 | 碳化硅投资情况 |
| 三安光电 | 湖南长沙 | 2021年6月，总投资160亿元的湖南三安半导体基地一期项目正式投产，产能规模达到6寸3万片/月。 |
| 露笑科技 | 浙江绍兴 | 公司项目计划总投资6.95亿元，主要采用碳化硅升华法长晶工艺及SiC衬底加工工艺，建成后形成年产8.8万片碳化硅衬底片的生产能力。 |
| 天科合达 | 北京 | 2020年投资第三代半导体碳化硅衬底产业化基地建设项目95,706.00万元，建设一个包括晶体生长、晶片加工和清洗检测等全生产环节的生产基地。项目投产后年产12万片6英寸碳化硅晶片，其中6英寸导电型碳化硅晶片约为8.2万片，6英寸半绝缘型碳化硅晶片约为3.8万片。 |
| 山东天岳 | 山东济南 | 在上海临港新片区建设碳化硅衬底生产基地，满足不断扩大的碳化硅半导体衬底材料的需求。公司的“碳化硅半导体材料项目”已被上海市发改委列入《2021年上海市重大建设项目清单》。为实现产能扩张，正在募资建立25亿元项目。 |
| 同光晶体 | 河北保定 | 公司已完成自主搭建200台单晶生长炉，同时为满足功率半导体器件需求，2021年计划陆续投产600台生长炉，在2022年4月预计产能将达到10万片。 |
资料来源：观研天下整理（zlj）
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