氮化镓（GaN）功率半导体行业：全球CR5市场占比接近80% 其中英诺赛科份额占比最高

2026-06-16 13:27

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氮化镓（GaN）功率半导体指的是基于氮化镓（GaN）材料的功率半导体器件，具有高频、高效、低损耗和高功率密度等显著优势，能有效缩小电源系统体积。

从产业链来看，氮化镓（GaN）功率半导体上游主要包括硅基板、光刻胶、清洗液、溅射靶材、特殊气体、三甲基镓等；中游为氮化镓（GaN）功率半导体生产制造；下游为消费电子、新能源汽车、再生能源、数据中心等应用领域。

资料来源：观研天下整理

近些年来，氮化镓（GaN）功率半导体凭借着其高频、高功率优势，应用场景逐渐从消费电子向数据中心、汽车电子等场景扩展，市场规模也随之增长。2025年全球氮化镓（GaN）功率半导体市场规模约为5.5亿美元，预计到2030年全球氮化镓（GaN）功率半导体市场规模将超过30亿美元。

数据来源：公开资料、观研天下整理

市场集中度来看，2024年全球氮化镓（GaN）功率半导体行业CR3、CR5市场份额占比分别为59%、79%。

数据来源：公开资料、观研天下整理

具体来看，2024年全球氮化镓（GaN）功率半导体市场份额占比最高的为英诺赛科，占比为30%；其次为Navitas，市场份额占比为17%；第三为EPC，市场份额占比为12%。

数据来源：公开资料、观研天下整理

全球氮化镓（GaN）功率半导体主流厂商情况

企业简称	所属国家	模式	布局情况
英诺赛科	中国	IDM	公司保持在消费电子领域的领先地位，加速向数据中心、汽车、机器人等方向延伸，AI/数据中心相关芯片出货同比高增，成为国内唯一进入英伟达800VHVDC芯片供应商。25年底公司产能达到20k/月，整体良率保持95%以上。
Navitas	美国	Fabless	公司持续推进AI数据中心平台，发布12kWORv3PSU方案，同时推进车规可靠性与双向650VGaN芯片。2025年公司与PSMC合作推进8英寸GaN生产，100V产品计划于2026年上半年量产。公司的代工厂是PSMC，并逐步引入格芯。
EPC	-	Fabless	持续强化AI、机器人、自动化、激光雷达等场景，同时推出100V、1.2mQ新一代GaN器件，精确瞄准AI、机器人和汽车电源。公司的主要代工厂是世界先进。
英飞凌	德国	IDM	2025年12英寸GaN晶圆生产已跑通，且在25Q4开始送样，明确把产品重点场景指向消费电源、AI数据中心、住宅太阳能、通信和汽车。
PI电源	美国	Fabless	除传统快充/离线电源外，将GaN重心推向AI服务器。2025年公司发布面向800VDC数据中心的1250V/1700VPowiGaN技术，并披露正在与英伟达协作推进相关电源架构。公司披露主要代工厂是Epson、Lapis、X-FAB。
意法半导体	-	IDM	与英诺赛科签订GaN技术联合开发协议，同时发布面向下一代AI数据中心的800VDC电源方案。
德州仪器	美国	IDM	TI在2024年宣布提升GaN制造产能为原来的4倍，且GaN功率芯片已经量产并顺利供货。同时，TI还披露其已成功试点12英寸晶圆的GaN制造。
安森美	美国	IDM	公司发布vGaN技术，明确瞄准AI与电气化应用。同时与GF合作开发下一代GaN功率器件，面向AI数据中心、EV、能源等领域。此外，公司与英诺赛科签署合作备忘录，拟从40-200VGaN产品开始推进全球化部署。
瑞萨电子	‌日本‌	IDM	2024年收购Transphorm，进一步进入EV、数据中心/AI、能源、工业等高增长领域。此外，2025年公司宣布与Polar Semiconductor合作。
罗姆	日本	IDM	2025年公司发布650VGaNHEMT，2026年宣布与台积电工艺整合，强化对AI服务器和电动车等领域的供应能力。