算力芯片促溅射靶材行业进一步放量 头部厂商呈高端突围态势 上游资源管控成关键

一、算力芯片迭代带动耗材升级，溅射靶材行业进一步放量

根据观研报告网发布的《中国溅射靶材行业发展深度分析与投资前景预测报告（2026-2033年）》，溅射靶材是物理气相沉积（PVD）工艺的核心耗材，原理为通过高能粒子轰击靶材表面，使金属原子逐层沉积至晶圆、显示面板、光伏电池基底，制备阻挡层、互连层、导电膜等各类功能薄膜。在芯片制造流程中，溅射靶材虽然整体价值量占比不高，但铜互连、阻挡层、种子层等关键制程均高度依赖该材料，属于典型 “小材料、大命门” 的关键基础材料。

HBM 单颗芯片铜靶消耗量达到传统芯片的 3 倍以上；3D NAND 从 128 层迭代至 232 层及以上架构，单片晶圆对应的靶材耗用提升超 40%；先进制程落地进一步拉动高端靶材需求，消耗量提升 3~5 倍。高附加值特种靶材增速大幅领先通用普通靶材，该特征在 2026 年进一步放大。从国内市场规模来看，2025 年我国溅射靶材市场规模 33.65 亿元，预计 2026 年有望增长至 38 亿元。

数据来源：观研天下数据中心整理

二、国内溅射靶材呈现分层替代特征，头部厂商高端突围态势逐步显现

全球溅射靶材市场呈现寡头分层格局，尤其在超高纯靶材领域，市场高度集中，其中霍尼韦尔、东曹、住友化学合计占据68%市场份额。

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近年来国内溅射靶材产业呈现分层替代特征。现阶段溅射靶材国产替代集中在铜、铝、钛等技术成熟品类，而适配 HBM、7nm 及以下先进制程的钴靶、6N 以上高纯铜靶、高纯钽靶等高附加值产品国产化率仍处于低位，但头部国产厂商差异化突围态势正逐步显现。

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江丰电子作为国内溅射靶材绝对龙头，超高纯靶材产品稳定导入 7nm、5nm，并持续向 3nm 节点推进，客户覆盖台积电、SK 海力士、中芯国际等全球头部晶圆厂；2026 年上半年公司靶材营收 16.71 亿元，同比增长 26.1%，毛利率 31.77%，主流靶材出货量位居全球第一，高端靶材全球市占率超 25%。

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数据来源：观研天下数据中心整理（zlj）

有研新材是国内少数可规模化量产 12 英寸钴靶的企业，产品已进入台积电、英特尔、长江存储、长鑫存储供应链；2026 年上半年靶材销售收入同比增速超 45%，累计 105 款高端靶材完成全流程认证并批量供货，覆盖 7nm 以下先进逻辑、HBM、3D NAND 等高壁垒场景。

三、溅射靶材行业迎来重要边际变化，上游资源管控成关键

从成本结构来看，原材料在溅射靶材生产成本中占比达 60%~80%，贵金属靶材原料占比更高；制造费用约 20%~30%，剩余部分为人工成本，其中超高纯铝靶较为特殊，原料成本占比仅 45%~55%，加工费用提升至 30%~40%。该结构决定靶材企业毛利率对上游高纯金属价格波动高度敏感，提纯工艺的技术壁垒与议价能力，直接决定产业链利润分配格局。

上游核心瓶颈在于超高纯金属提纯技术长期由 JX 金属、霍尼韦尔、东曹等海外龙头掌控，国内厂商在原料纯度一致性、坯体微观组织均匀性方面仍存在短板，部分关键高纯金属对外依存度偏高；同时高纯金属定价和普通工业级金属脱钩，提纯技术本身带来显著的垄断溢价。

2026 年行业迎来重要边际变化，国内钨、镓、锗、高纯钽等两用物项出口管制细则落地实施，一方面夯实国内头部靶材企业部分高纯原料自主保障能力，另一方面倒逼海外晶圆厂调整采购体系、加速导入国产靶材，资源端管控正成为国产替代进程中重要的非技术性推力。