光通信筑基、激光雷达蓄势我国InP衬底行业需求端进入加速放量期

2026-09-18 09:54

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前言：

当前，我国InP衬底行业需求高度集中于光通信领域，占比达50%—60%，AI数据中心光互连从400G向800G、1.6T演进，直接拉动InP衬底用量和价值量同步攀升；5G/6G射频和国防军工提供稳定支撑，对半绝缘衬底的电学性能和可靠性要求极高；1550nm激光雷达是中期弹性最大的增量来源，但其需求释放取决于该技术路线能否从高端车型向主流车型渗透——905nm路线主要使用GaAs，并不直接拉动InP；量子通信和卫星通信则构成远期储备。需求区域分布与产业集群高度重合，华东和华南是核心市场，华中和西南增速较快，华北聚焦高端科研和航天应用。国产替代正从“验证”走向“放量”，率先通过头部光芯片企业认证并实现稳定供货的衬底企业将获得显著先发优势。

1、InP衬底定义与战略定位：光通信与射频器件的“基石材料”

根据观研报告网发布的《中国InP衬底行业发展深度分析与投资前景预测报告（2026-2033年）》显示，磷化铟（InP）衬底是化合物半导体产业链中不可替代的核心材料。InP属于III-V族化合物半导体，具有优异的电子迁移率、直接带隙结构和光电转换效率，在光通信激光器、5G/6G射频器件、激光雷达、红外探测及空间太阳能电池等领域具有关键应用价值。InP衬底是制造InP基外延片的基础，进而用于生产激光器（DFB、EML、VCSEL）、探测器（PD、APD）、高电子迁移率晶体管（HEMT）和异质结双极晶体管（HBT）等光电器件和射频器件。

从产业链来看，InP衬底行业上游以高纯磷、高纯铟、石英坩埚及单晶生长设备为核心；中游为InP单晶生长（LEC、VGF、VB工艺）和衬底加工（切割、研磨、抛光、清洗）；下游覆盖光通信（400G/800G/1.6T光模块）、5G/6G射频、激光雷达（1550nm）、红外探测及航天太阳能电池等领域。InP衬底是光通信和射频产业链的“起点”，其质量和尺寸直接决定外延片和器件的性能与成本。

InP衬底行业产业链图解

资料来源：观研天下整理

InP衬底是化合物半导体产业链中承上启下的关键基础材料。上游连接铟、磷等高纯原料和单晶生长设备，下游对接光芯片、射频芯片和传感器制造。其质量和供应能力，直接决定我国光通信和射频产业的供应链安全。在AI算力需求爆发和地缘政治博弈加剧的背景下，InP衬底的战略价值正在被重新定价。

2、我国InP衬底行业需求总览：光通信占绝对主导，需求高度集中

从下游结构看，InP衬底需求高度集中于光通信领域，这是其区别于其他化合物半导体衬底的最显著特征。

我国InP衬底行业需求情况

应用领域	主要器件	衬底类型	尺寸趋势	核心客户类型
光通信	EML/DFB激光器、PIN/APD探测器	导电型（n/p）、半绝缘型	2—4英寸为主，4英寸加速，6英寸导入	光芯片企业、光模块企业
5G/6G射频	HBT、HEMT、功率放大器	半绝缘型	4英寸为主，6英寸探索	射频芯片企业、军工院所
激光雷达与传感	1550nm激光器、探测器	导电型、半绝缘型	3—4英寸	激光雷达企业、自动驾驶供应链
量子通信与卫星	单光子探测器、激光器	半绝缘型、低噪声型	2—4英寸	科研院所、卫星通信企业
科研与其他	太赫兹、红外探测、高效电池	多种类型	2—4英寸	高校、研究所

资料来源：观研天下整理

（1）光通信

光通信是InP衬底需求增长最确定、最强劲的领域，其需求传导链条清晰：AI算力需求→数据中心光互连升级→光模块速率提升→光芯片用量增加→InP衬底需求放大。

随着光模块从400G向800G、1.6T演进，单模块中InP基芯片的数量和价值量显著提升。800G光模块通常采用8通道×100G方案，需要多颗EML激光器和探测器；1.6T光模块则向8通道×200G或16通道演进，对InP基高速芯片的需求进一步增加。速率越高，单颗芯片的面积和工艺复杂度越大，对InP衬底的位错密度、表面平整度和批次一致性要求也越严苛。

光模块速率对InP衬底需求

光模块速率	典型光芯片方案	InP衬底需求特征	对衬底尺寸的偏好
400G	4×100GEML或硅光	中等用量，4英寸导电型为主	3—4英寸
800G	8×100GEML	用量显著增加，低位错密度要求提升	4英寸加速导入
1.6T	8×200GEML或16通道	芯片数量和价值量进一步攀升，半绝缘需求增加	4英寸为主，6英寸验证
3.2T（远期）	更高阶调制、CPO	对衬底质量和一致性要求达到新高度	6英寸有望成为主流

资料来源：观研天下整理

（2）射频与军工

5G/6G射频和国防军工是半绝缘InP衬底的核心应用领域。InP基HBT和HEMT器件在高频、高功率场景中具有硅基和GaAs基器件难以替代的性能优势，广泛应用于5G基站功率放大器、卫星通信、相控阵雷达和电子对抗系统。这一领域的需求特征与光通信不同：批量相对较小，但对衬底的电学性能、热稳定性和长期可靠性要求极高。半绝缘InP衬底需精确控制铁掺杂浓度，确保高电阻率和低漏电流。客户以军工院所和射频芯片企业为主，认证周期长，但一旦进入供应链，粘性极强。

国内在InP射频器件领域的设计和制造能力仍在建设中，对InP衬底的需求当前以科研和小批量为主，但随着5G-A/6G推进和军工电子升级，中长期需求有望稳步增长。

（3）激光雷达与传感

1550nm激光雷达是InP衬底行业最具弹性的增量需求来源。与905nm激光雷达相比，1550nm方案在人眼安全性和探测距离上具有明显优势，是L3/L4自动驾驶的主流技术路线之一，其光源和探测器均依赖InP基材料，每台激光雷达需要多颗InP基激光器和探测器芯片。

随着自动驾驶从高端车型向主流车型渗透，激光雷达装机量有望快速增长，带动InP衬底需求放量。这一领域对成本的敏感度高于光通信，对衬底尺寸和成本控制的要求更迫切，4英寸和6英寸衬底的导入动力更强。

自动驾驶渗透与激光雷达配置趋势

阶段	典型价格带	代表车型（举例）	激光雷达配置	主流波长/技术路线	对InP衬底的需求关联
2021—2022年：高端导入期	40万元以上	蔚来ET7、理想L9、小鹏G9	1—2颗	蔚来ET7采用图达通1550nm；理想L9、小鹏G9采用905nm	1550nm车型直接拉动InP基激光器/探测器；905nm车型拉动GaAs，不直接拉动InP
2023—2024年：中高端放量期	20万—35万元	小鹏G6Max、智己LS6、问界M7 Max、极氪007、小米SU7Pr o/Max	1—3颗	905nm为主，1550nm少量	激光雷达装机量快速增长，但InP需求增量主要来自1550nm车型，整体拉动有限
2025—2027年：主流车型渗透期	15万—20万元	零跑B10、丰田铂智3X、小鹏MONAM 03Max、比亚迪部分智驾车型	1颗为主	905nm为主，1550nm降本探索	装机量快速放大，但InP需求取决于1550nm路线能否下探到主流价位
2027—2030年：L3/L4规模化期	多价位覆盖	更多L3/L4车型、Robo taxi	多颗/固态化	1550n mFMCW、OPA等有望提升	若1550nm /FMCW放量，InP衬底需求将显著提升

资料来源：观研天下整理

激光雷达技术路线与InP衬底需求强度对比

技术路线	典型波长	激光器/探测器材料	是否依赖InP衬底	主要代表企业/产品	对InP衬底需求强度
905nm ToF	905nm	GaAs基EEL/VCSEL、硅基SPAD	否（主要用GaAs）	禾赛AT128、速腾M系列、华为部分激光雷达	低（不直接拉动InP）
1550nm ToF	1550nm	InP基激光器、InPA PD	是	图达通Falcon、Lumin arIris	高（直接拉动InP衬底）
1550nm FMCW	1550nm	InP基激光器、相干探测	是	Aeva、Aurora等	极高（对InP衬底质量要求更高）
固态/OPA	多种	可能使用InP或硅光	视方案而定	部分初创企业	中高（取决于技术成熟度）

资料来源：观研天下整理

3、中国InP衬底行业需求区域分布：与产业集群高度重合

从区域分布来看，我国InP衬底行业需求区域分布与光通信、射频和激光雷达产业集群高度一致，呈现“华东领先、华南跟进、华中集聚、华北补充、西南崛起”的多层次格局。首先，华东地区（江苏、上海、浙江、安徽）是最大的需求区域，光通信、射频和激光雷达产业高度集中，高端光模块和射频器件企业密集。其次，华南地区（广东、福建）的光通信、激光雷达和消费电子产业发达，光模块和激光雷达需求增长迅速。与此同时，华中地区（湖北、湖南）以武汉光谷为核心，光通信和激光雷达产业集聚，光迅科技、华工科技等企业形成稳定的需求来源，区域内InP衬底需求与光电子产业集群深度绑定。

中国InP衬底行业需求区域分布

区域	核心省市	主要下游产业	需求特征	主要客户类型
华东	江苏、上海、浙江、安徽	光通信、射频、激光雷达	最大需求区域，高端光模块和射频器件集中	中际旭创、光迅科技、华工正源等
华南	广东、福建	光通信、激光雷达、消费电子	光模块和激光雷达需求增长快	新易盛、华为、速腾聚创等
华中	湖北、湖南	光通信、激光雷达	武汉光谷为核心，光模块和激光雷达产业集聚	光迅科技、华工科技等
华北	北京、天津、河北	科研院所、射频、航天	科研和航天需求为主，高端小批量	中电科、航天科技等
西南	四川、重庆	光通信、射频	成都、重庆光通信产业快速发展	天邑股份、光恒通信等

资料来源：观研天下整理

总体来看，中国InP衬底需求区域分布与产业集群高度重合，华东和华南是核心需求市场，华中和西南是快速增长的潜力区域，华北则聚焦高端科研和航天应用，共同构成多层次、差异化的需求格局。

4、我国InP衬底行业需求趋势与潜在空间分析

展望未来，我国InP衬底行业需求端将呈现三个明确趋势：

第一，AI算力驱动光通信需求持续放量。1.6T/3.2T光模块逐步商用，单模块InP基芯片用量和价值量继续提升，4英寸衬底加速普及，6英寸衬底开始导入。这是最确定、最强劲的长期趋势。

第二，激光雷达和量子通信打开远期空间。1550nm激光雷达在自动驾驶中的渗透率提升，以及量子通信网络和低轨卫星星座建设，将为InP衬底提供新的增量市场，尽管当前体量较小，但长期潜力可观。

第三，国产替代从“验证”走向“放量”。国内光芯片和射频芯片企业对国产InP衬底的验证意愿显著增强，源杰科技、武汉敏芯、云岭光电等企业的国产衬底导入进程正在加速。率先通过头部客户认证并实现稳定供货的衬底企业，将获得显著的先发优势。

综合来看，观研天下分析师认为：我国InP衬底需求端正处于“AI算力驱动、射频稳定支撑、激光雷达蓄势、国产替代加速”的阶段。光通信是绝对主导，射频和军工提供刚性支撑，激光雷达提供中期弹性，量子与卫星储备远期空间。对于InP衬底企业而言，能否把握AI算力驱动的光模块升级机遇和国产替代的战略窗口，将决定其在需求升级中的受益程度。（WYD）

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