前言:
AI算力芯片功耗持续飙升,传统铜铝散热、常规液冷方案瓶颈凸显,高导热金刚石材料成为高端芯片热管理核心新路径。金刚石及金刚石铜复合材料导热性能远超传统散热材料,适配千瓦级算力芯片散热需求,获英伟达等头部企业长期技术背书,行业市场空间广阔。当前,海外企业率先实现商业化落地,国内依托完备产业基础快速跟进布局。其中金刚石铜复合材料产业化进度最快,但受技术、成本等制约,大规模商业化尚需时日。我国垄断全球人造金刚石供给,产业链自主可控优势突出,为行业规模化发展奠定坚实基础。
一、AI芯片热管理挑战升级,金刚石成新型散热材料选项
根据观研报告网发布的《中国金刚石散热行业发展趋势研究与投资前景分析报告(2026-2033年)》显示,金刚石俗称“金刚钻”,是由纯碳元素组成的矿物,化学式为C,是石墨的同素异形体,也是钻石的原身。作为自然界最坚硬的物质,金刚石一直被誉为“工业牙齿”,过去的工业用途主要集中在切割、耐磨等领域。不过近两年,随着AI带动的算力基础设施发展,金刚石的散热应用爆发,从论吨卖的工业磨料,变成论“片”卖的“芯片散热贴”。
一方面,全球 AI 算力建设进入高速扩张周期,传统被动散热方案性能瓶颈凸显。大模型训练、云端推理业务规模持续扩容,带动高端 GPU 芯片功耗与表面热流密度指数级攀升,铜铝基板、常规单相液冷等传统散热方案已难以匹配超高功率算力硬件的散热需求。当前英伟达 Blackwell 架构 B200 芯片热设计功耗已达 1200W,单卡功耗突破 1000W;业内预期下一代 Rubin 架构单芯片功耗或将冲高至 2000W 以上,常规风冷完全无法满足散热承载要求。而芯片热管理水平直接决定AI服务器整机运行稳定性、硬件服役周期与整机能源利用效率,散热性能已成为限制高端算力充分释放的核心因素。
数据来源:公开数据,观研天下整理
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另一方面,金刚石具有优异的导热性能,其导热能力是铜的5倍,硅的10倍,拥有不可替代的性能优势。以金刚石为基体开发的金刚石铜复合材料热导率可达600-900W/(m·K),明显高于纯铜约400W/(m·K)、纯铝约230W/(m·K)等传统散热材料,可有效提升芯片近端热扩散效率,适配千瓦级超高功耗算力硬件规模化部署需求。
常见散热材料热导率对比
| 材料 | 热导率(W/mK) | 相对铜倍数 | 热膨胀系数(ppm/K) | 电性能 |
| 单晶金刚石 | 2000-2200 | 5.1-5.6X | 1.0-1.5 | 绝缘 |
| 多晶CVD金刚石 | 800-1800 | 2.0-4.6X | 1.5-2.5 | 绝缘 |
| 银 | 429 | 1.1X | 18.9 | 导体 |
| 铜 | 390-400 | 1.0X(基准) | 16.5 | 导体 |
| 铝 | 237 | 0.6X | 23.1 | 导体 |
| 碳化硅(SiC) | 350-500 | 0.9-1.3X | 2.5-4.5 | 半导体 |
| 氮化铝(AIN) | 170-230 | 0.4-0.6X | 4.5 | 绝缘 |
| 石墨烯(面内) | 约5000 | 约12.8X | 可调 | 导体 |
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目前工业应用复合散热材料综合性能对比
| 材料类型 | 热导率(W/(m·K)) | 热膨胀系数(ppm/K) | 密度(g/cm³) | 抗拉强度(MPa) | 成本相对值 | 适用热流密度( W/cm²) |
| 铜钨合金 | 180-220 | 6-8 | 14 | 600 | 5 | <200 |
| 氮化铝陶瓷 | 200-300 | 4.5-6 | 3.3 | 350 | 8 | <250 |
| 石墨/铜复合 | 400-600 | 8-10 | 5.2 | 180 | 10 | <300 |
| 铝基碳化硅 | 180-250 | 7-11 | 2.8-3.0 | 300-450 | 6 | <200 |
| 金刚石铜(低含量) | 550-700 | 6-8 | 5.5-6 | 300 | 12 | <500 |
| 金刚石铜(高含量) | 700-1000 | 5-7 | 6-6.5 | 350 | 18 | >800 |
| 银金刚石 | 650 | 5-7 | -6.8 | 320 | 50 | <600 |
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当下,伴随AI算力芯片功耗不断提升,金刚石散热材料是下一代高端热管理的核心载体,金刚石复合散热方案则为下一代高端散热关键技术路线。公开资料显示,在2026年5月21日英伟达财报电话会上,CEO 黄仁勋正式确认:Vera Rubin 架构 GPU预计将于 2026 年第三季度量产出货,或将全面采用“金刚石复合材料+波冷”散热方案。这是继2024年Blackwell架构首次引入金刚石散热之后,英伟达连续第二代旗舰GPU采用该技术路线。更关键的是,黄仁勋还介绍了更长期的路线图:2028 年将量产的下一代Feynman架构 GPU,同样沿用金刚石散热技术路线。
据行业测算,全球服务器液冷整体市场规模2026年为125.7亿美元,2030 年有望达到 535.1亿美元。按2030年金刚石散热产品在液冷赛道价值量占比 10% 测算,对应细分市场规模约54亿美元。
二、全球产业链加速布局金刚石散热赛道,海外企业凭借技术先发优势率先实现商业化落地,国内企业依托完整产业基础快速跟进
随着金刚石散热技术在AI芯片散热领域的应用前景持续明晰,其适配超高功耗算力硬件的核心价值得到全球产业认可,海内外产业链企业纷纷加速布局相关技术研发与产能建设。目前,海外企业凭借技术先发优势率先实现商业化落地,国内企业依托完整产业基础快速跟进,推动金刚石行业从传统工业耗材向高端半导体散热材料转型升级。
从全球布局来看,海外头部企业及科研机构凭借技术先发优势,持续突破金刚石散热核心技术与终端应用场景,落地多项标志性成果。如2025年5月,日本住友联合大阪公立大学,成功在2英寸多晶金刚石衬底上制备出GaN-HEMT器件,显著优化高频功率器件的散热性能,夯实金刚石在功率半导体领域的应用基础。美国企业则聚焦AI服务器终端散热落地,产业化推进速度领先:2026年2月,美国Akash Systems向印度NxtGen AI交付全球首批搭载金刚石散热方案的NVIDIA H200服务器,实现GPU单位能效(FLOPS/W)提升15%;2026年3月,该企业再度推出全球首款金刚石冷却AMD MI350X服务器,斩获3亿美元大额订单,验证了金刚石散热方案在高端算力设备中的商业化价值。
海外主要金刚石散热公司及进展
| 区域 | 公司名称 | 核心技术 | 最新进展 |
| 美国 | Akash Systems | 专利 Diamond Cooling®技术,合成金刚石直接集成于GPU 散热模组 | 2026年2月向印度NxtGenAI交付全球首批金刚石冷却 NVIDIA H200 服务器,GPU 能效提升15%(FLOPS/W);3月发布全球首款金刚石冷却 AMD MI350X服务器,获3亿美元订单 |
| 英国 | Element Six | De Beers 旗下,CVD 金刚石热扩散器,Diamond-Copper 复合材料 | 与日本 Orbray 合作实现晶圆级单晶金刚石制造里程碑,推动热扩散器向大尺寸演进 |
| 美国 | Coherent | CVD 金刚石基板(直径达145mm)可键合金刚石(Bondable Diamond)Diamond-loaded SiC 复合材料 | 2026年1月推出高性能可键合金刚石解决方案,消除热界面电阻;2025年6月发布金刚石-SiC 复合材料 |
| 美国 | Diamond Foundry | 实验室培育金刚石技术,Diamond Wafer 晶圆级金刚石键合 | 开发芯片级金刚石直接键合技术,声称可解锁 5倍 AI芯片性能 |
| 日本 | 住友电工 | Cu-Diamond 复合材料GaN on Diamond(氮化镓直接键合在金刚石衬底)技术 | 2025年5月与大阪公立大学合作,在2英寸多晶金刚石衬底上成功制造 GaN-HEMT,大幅提升高频功率器件散热性能 |
| 美国 | SP3 Diamond | 20年CVD 金刚石涂层与晶圆制造经验 | 专注为半导体制造提供高质量金刚石晶圆,拓展热管理解决方案产品线 |
| 印度 | NxtGen AI | 终端应用代表,金刚石冷却AI数据中心规模化部署 | 2026年2月在印度率先部署全球首批金刚石冷却 NVIDIA H200 GPU服务器,显著优化数据中心 PUE 指标 |
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国内市场紧随全球产业趋势,依托本土超硬材料产业积淀,头部企业加速向半导体级金刚石散热材料赛道转型,产能与技术落地节奏持续提速。如2025年1月,力量钻石半导体高功率散热片金刚石功能材料研发制造项目正式投产,标志着公司在金刚石高端散热材料产业化领域迈出关键一步。2026年2月,黄河旋风旗下子公司风优创正式揭牌,国内首条8英寸金刚石热沉片生产线顺利落成,项目一期投资3.6亿元,规划年产能达2万片,大幅提升国内高端金刚石散热基材供给能力。2026年3月,华智新材料完成金刚石铜散热方案关键仿真验证,并布局针对性焊接解决方案,推动金刚石材料在AI芯片领域应用。
中国主要金刚石散热公司及进展
| 公司名称 | 核心技术 | 最新进展 |
| 力量钻石 | 微波等离子体 CVD 技术,生产半导体高功率散热金刚石功能材料,热导率可达2200W/(m·K) | 2025年1月,半导体高功率散热片金刚石功能材料研发制造项目正式建成投产,迈出产业化重要一步 |
| 黄河旋风 | 掌握 HPHT和 CVD 双技术路线,与优普莱合作采用MPCVD 法量产国内最大8英寸金刚石热沉片 | 2026年2月子公司风优创揭牌,国内首条8英寸金刚石热沉片生产线落成,一期投资 3.6亿元,年产能2万片 |
| 中兵红箭 | 旗下中南钻石为全球最大超硬材料供应商之一,具备HPHT 和 CVD 双技术路线 | 加大在多晶金刚石热沉领域的研发投入,积极布局半导体级散热材料赛道 |
| 瑞为新材 | 攻克金刚石与金属结合难题,掌握多梯度一体化制造成型核心技术,实现高导热金刚石铜/铝热沉低成本量产 | 2025 年建成3万平方米研发制造工厂并获评国家级专精特新“小巨人”;2026 年投入数千万元扩产 |
| 华智新材料 | 华太电子子公司,专注大功率半导体封装,核心技术包括金刚石铜复合热沉材料局部金属化处理和焊接技术 | 2026年3月已完成金刚石铜散热方案关键仿真验证,并布局针对性焊接解决方案,推动在 AI芯片领域应用 |
| 四方达 | 自主研发 MPCVD 设备及工艺,具备高品质大尺寸超纯CVD 金刚石批量制备能力 | 2025年12月宣布已具备批量制备12英寸金刚石衬底及薄膜的能力,可用于芯片热沉等领域 |
| 化合积电 | MPCVD 制备高质量金刚石晶圆级金刚石衬底、热导率超 2000 W/(m⋅K)金刚石热沉 | 2025 年底攻克高质量大尺寸多晶金刚石制备技术,实现单晶金刚石表面粗糙度 Ra<1nm;10月呼和浩特量产基地投产 |
| 国机精工 | 具备从六面顶压机+MPCVD设备到材料的全链自制能力,生产金刚石散热片和光学窗口片 | 2025 年金刚石散热收入超千万,12月牵头制定国内首个热沉用金刚石片团体标准;与华为联合测试昇腾芯片热沉片 |
| 沃尔德 | 国内少数掌握 CVD 法三大工艺(MPCVD、热丝、直流电弧)的企业,开发 CVD金刚石热沉片 | 2026年3月定增募资3亿元用于金刚石微钻及功能材料等项目;已成立 AI芯片散热专项组,12寸CVD金刚石热沉片处于测试阶段 |
| 桦茂科技 | 恒盛能源控股子公司,采用MPCVD 法生长金刚石,可低成本产出单晶热沉片和多晶热沉片 | 2025年12月二期产线陆续投产,已展开送样测试;金刚石散热片目前仍处测试验证阶段 |
| 斯莱克 | 针对金刚石与铜“不浸润”导致的界面热阻难题,斯莱克通过联合研发掌握材料配方及气压熔渗制备工艺,旨在降低界面热阻,确保热传导效率。 | 2025年底设立热控科技公司专门布局算力热管理,2026年5月宣布成功开发出金刚石铜复合材料热沉结构件,采用气压熔渗法,产品已在重要客户测试验证 。 |
| 惠丰钻石 | / | 2026年2月拟投资 10 亿元建设包头CVD金刚石项目,一期安装500台 MPCVD 设备,重点生产热沉片、半导体功能材料及培育钻石;柘城基地同步扩建高导热单晶及复合材料生产线 |
| 曙光数创 | 采用自研国产冷媒,可实现全年自然冷却。并首次规模化应用金刚石铜导热材料,热导率提升 80%,助力芯片性能提升10% | 2026年4月8日,曙光数创在“液冷聚能,智算向新”2026 战略发布会上,正式发布全球首个 MW级相变浸没液冷整机柜及其基础设施整体解决方案(C8000V3.0)。最高可支持单机柜功率超过900kW,达到 MW 级,单机柜承载功率为传统液冷方案的3–5倍,散热能力超过200W/cm2 |
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三、金刚石铜复合材料是当前产业化落地最快的芯片散热方案,但大规模商业化仍待时日
从技术路线划分,当前金刚石散热主要包含四类方案,分别是CVD 金刚石热沉片、金刚石/金属复合材料、CVD金刚石涂层、金刚石材料与微通道液冷集成散热。其中,金刚石铜复合材料是当前产业化落地最快的芯片散热方案,目前已实现特定场景的规模化应用。这是由于金刚石硬度极高(莫氏硬度10),精密加工难度极大,而铜与金刚石之间本质上不浸润、界面结合力弱,两者融合在一起的技术门槛就更高。通过在铜基体中复合体积分数30%—50%的金刚石颗粒,热导率可达600—800W/(m·K),是纯铜(401W/(m·K))的1.5—2倍,同时兼顾了金属的可加工性与成本可控性,成为当前最接近商业化的高导热复合材料。
金刚石散热的主要技术路径
| 技术路线 | 路线原理 | 技术进程 |
| CVD金刚石热沉片 | 通过化学气相沉积(CVD)法,在特定衬底上生长出一层多晶或单晶的金刚石薄膜,将其加工成薄片,并作为均热板(Heat Spreader)直接集成在发热元件上,其核心作用是将芯片表面的局部高温热点迅速扩散到更大面积上,再传递给次级散热器,从而极大降低热流密度。 | 小批量供货/验证阶段 |
| 金刚石/金属复合材料 | 将高导热的人造金刚石颗粒与金属基体通过特定的工艺复合,形成一种全新的固体材料,热量通过金刚石颗粒进行高效传导,金属基体则负责将热量在不同金刚石颗粒间传递,并提供了良好的可加工性和焊接性。 | 已实现特定场景的规模化应用 |
| CVD金刚石涂层 | 该技术直接在需要散热的部件(基底)表面,通过 CVD 工艺沉积一层多晶金刚石薄膜,这层薄膜可以显著增强基底表面的热扩散能力。 | 处于送样测试/前沿探索阶段 |
| 金刚石材料与微通道液冷集成散热 | 例如金刚石-SiC 复合冷板,结合了液冷微流道与金刚石材料,为超高功率(>1kW)芯片提供系统级散热解决方案。 | 处于实验室研发/工程化前期阶段 |
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不过需客观看待行业现状,距离金刚石铜复合材料大规模商业化落地仍存在较长周期。一方面从各公司的商业化进展来看,多数仍处于“小批量供货”或“客户验证”阶段,距离规模化量产和稳定的营收贡献尚有差距。例如国产企业国机精工相关产品现阶段主要配套国防领域;四方达虽已实现小批量供货,但下游客户订单尚未放量;黄河旋风 8 英寸生产线刚完成投产,产能释放仍需经历爬坡周期。
另一方面,虽然在2026年4月,中国科学院宁波材料技术与工程研究所研发的金刚石铜复合材料,在郑州国家超算互联网核心节点完成集群部署,实现国内首次规模化商用,在应用端取得重大突破(该材料以散热贴形式紧贴芯片,与浸没式相变液冷系统协同工作,实测芯片模组传热能力提升80%,核心温度降低5℃,芯片性能释放提升10%。相比同期国际顶尖计算集群,整体节能幅度达30%以上。)。但在上述商用案例中,金刚石铜复合材料是作为“散热贴”(界面导热材料)与液冷系统协同工作,而非独立散热方案。
此外力量钻石5月26日发布风险提示公告,明确表示“金刚石散热材料”应用场景尚未达到大规模市场化阶段,未对公司主营业务及收入产生影响,股价短期波动幅度较大,存在较高的炒作风险。
观研天下分析师分析,当前制约金刚石铜复合材料在数据中心场景大规模推广的核心瓶颈集中于三大维度——即技术成熟度、综合制造成本、上下游产业链协同配套。
数据来源:公开数据,观研天下整理
四、全球人造金刚石供给高度集中于中国,我国金刚石散热行业自主可控优势显著
我国是全球最大的人造金刚石生产国,占据重要主导地位。从2000年开始,我国便成为全球最大人造金刚石生产国,2010年产量突破100亿克拉,进一步巩固了我国在全球人造金刚石市场中的领先地位。2023年我国人造金刚石产量增至 165.97 亿克拉,占全球总产量的 90%以上。其中,河南人造金刚石产量约占全国80%,形成郑州、许昌、南阳、商丘等产业集聚区。
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经过多年发展,我国已构建起原辅料—核心装备—金刚石材料—终端制品全贯通、自主可控的人造金刚石完整产业链。从产业链结构来看,行业上游涵盖石墨、金属触媒、叶蜡石等核心原材料,以及六面顶压机、MPCVD设备等专用生产装备;中游为人造金刚石单晶、微粉、复合粉体等核心材料生产环节;下游覆盖传统工业应用与半导体散热、半导体衬底、培育钻石等高端应用领域。其中,上游核心专用制造设备优势突出,六面顶压机基本实现全国产供应,国产专用MPCVD设备全球市占率达50%,为产业链自主可控筑牢核心壁垒。
观研天下分析师分析,当前我国人造金刚石行业产业链自主可控基础扎实,规模经济红利持续释放,将有力推动金刚石散热等高端应用加速实现产业化落地。(WW)
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