我国光刻胶行业：晶圆产能扩张注入强劲动力 多维度协同加速国产替代

前言：

按应用领域划分，光刻胶主要包括PCB光刻胶、LCD光刻胶和半导体光刻胶三大类，其中半导体光刻胶技术壁垒最高。近年来我国光刻胶市场规模持续扩容，2023年突破百亿元大关，2024年进一步增长至110亿元以上。但行业国产化水平较低，2024年总体国产化率约25%，技术难度最大的半导体光刻胶自给率仅 8%。不过，在政策、技术、标准、产能、原材料多维度协同推动下，其国产替代正加速推进。

1.光刻胶主要分为三类，其中半导体光刻胶技术壁垒最高

根据观研报告网发布的《中国光刻胶行业发展深度分析与投资前景预测报告（2025-2032年）》显示，光刻胶又称光致抗蚀剂，是指通过紫外光、电子束、离子束、X射线等的照射或辐射，其溶解度发生变化的耐蚀剂刻薄膜材料。按应用领域划分，光刻胶主要包括PCB（印制电路板）光刻胶、LCD（液晶显示器）光刻胶和半导体光刻胶三大类。从技术壁垒来看，三者差异明显，其中半导体光刻胶技术壁垒最高，LCD光刻胶次之，PCB光刻胶技术壁垒最低。

光刻胶分类情况

资料来源：公开资料、观研天下整理

2.我国PCB产业规模庞大，为光刻胶提供显著需求支撑

光刻胶是PCB制造过程中的关键材料，其需求与PCB产业发展高度关联。PCB应用领域广泛，素有“电子产品之母”之称，已深度渗透至通讯、消费电子、计算机、汽车电子、服务器、数据中心、国防、航空航天、工业控制、医疗器械等多个领域，市场前景广阔。我国作为全球最大的PCB生产基地，2024年PCB产值达412.13亿美元；预计2025年将增长至437.34亿美元，2029年进一步提升至497.04亿美元，2024-2029年期间年均复合增长率约为3.82%。庞大的PCB产业规模，为国内光刻胶市场提供了坚实且持续的需求支撑。

数据来源：Prismark等、观研天下整理

3.晶圆产能快速扩张，为光刻胶行业带来强劲需求

在半导体领域，光刻胶是继硅片、电子特气和光掩模之后的第四大半导体材料，其性能和品质与芯片良率、可靠性及光刻生产成本密切相关。在集成电路晶圆制造过程中，光刻胶与其他光刻材料根据工艺先后旋涂于衬底上，通过曝光、显影、刻蚀等工艺流程，将掩模板上的图形转移至晶圆表面，从而实现细微图形加工。

在国家政策支持、技术突破、市场需求增长及供应链自主可控要求的共同推动下，中国大陆晶圆产能实现跨越式提升，从2020年的318.4万片/月增至2024年的885万片/月，年均复合增长率达29.12%。这一快速扩张的产能，为光刻胶行业带来持续且强劲的需求。

数据来源：公开资料、观研天下整理

注：按8英寸等效计算

4.光刻胶市场规模持续扩容，整体呈现稳步向上的发展格局

在PCB、LCD行业持续发展，以及半导体晶圆产能快速扩张等多重因素的协同推动下，近年来我国光刻胶市场规模实现持续扩容，已成功迈入百亿级市场行列。行业数据显示，2023年我国光刻胶市场规模正式突破百亿元大关，市场增长态势稳健；2024年市场规模进一步增长至110亿元以上，延续增长势头；展望未来，预计2025年市场规模将达到123亿元，较2024年同比增长7.52%，整体呈现稳步向上的发展格局。

数据来源：公开资料、观研天下整理

5.我国光刻胶国产化水平较低，国产替代成为行业发展的重要方向

光刻胶是精细化工领域技术壁垒最高的材料之一，被誉为电子化学品产业“皇冠上的明珠”。除技术壁垒外，行业还存在客户认证周期长、资金投入大、产业链协同要求高等多重壁垒，形成极高的行业进入门槛。我国光刻胶行业起步较晚，在技术积累、人才储备等方面存在不足，国产化水平较低。2024年数据显示，我国光刻胶总体国产化率约25%，其中技术难度最大的半导体光刻胶自给率最低，国产化率仅8%，大量高端产品依赖进口，国产替代成为行业发展的重要方向。

资料来源：观研天下整理

6.政策、技术、产能、原材料多维度协同，加速光刻胶国产替代

值得一提的是，在政策持续扶持、技术自主攻关、标准体系逐步构建、产能科学布局、原材料国产化同步推进等多维度协同发力下，我国光刻胶产业正构建起全方位推进体系，为国产替代注入持续动力。

政策层面，《关于扩大战略性新兴产业投资 培育壮大新增长点增长极的指导意见》《“十四五”原材料工业发展规划》《新产业标准化领航工程实施方案（2023—2035年）》《中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目年远景目标》等文件相继发布，聚焦光刻胶技术研发、标准建立等方面，为行业发展提供政策保障。其中，《中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标纲要》明确提出加快集成电路用光刻胶等电子高纯材料关键技术突破。

我国光刻胶行业相关政策

资料来源：观研天下整理

技术突破是国产替代的重要动力，2025年下半年国内科研机构集中取得多项成果。例如，7月28日，清华大学发布消息称，该校化学系许华平教授团队在极紫外（EUV）光刻材料上取得重要进展，开发出一种基于聚碲氧烷的新型光刻胶，为先进半导体制造中的关键材料提供了新的设计策略。

10月16日，南开大学现代光学研究所发布消息，其研究团队在氧化钛团簇光刻材料领域取得重要进展，成功实现原本光刻惰性的钛氧簇表现出纳米图案化应用，并最终制备出12.9纳米高分辨负性光刻图案，为继续发展钛氧簇基EUV光刻胶奠定基础。同月，北京大学化学与分子工程学院研究团队通过冷冻电子断层扫描技术，首次在原位状态下解析了光刻胶分子在液相环境中的微观三维结构、界面分布与缠结行为，指导开发出可显著减少光刻缺陷的产业化方案，为优化材料设计、减少曝光缺陷提供了新路径。

标准体系建设同样取得显著进展。我国首个EUV光刻胶标准——《极紫外光刻胶测试方法》作为拟立项标准，于10月23日开始公示，截止时间为11月22日。该标准的制定不仅填补了国内在该领域的技术标准空白，更重要的是通过建立统一的测试方法体系，为国内外EUV光刻胶的性能评价提供了客观标尺，对推动产业链规范化发展具有里程碑意义。

产能建设方面，国内企业正积极布局。其中，江西省永合新材料科技有限公司永修光刻胶及树脂系列产品生产项目于2025年9月顺利完成主体结构封顶，计划2026年6月正式投产。项目建成后，将形成年产12000吨PCB线路光刻胶、12000吨PCB阻焊光刻胶、160吨负性光刻胶、80吨厚膜光刻胶的生产能力。同时，鼎龙新材料正在建设年产300吨光刻胶产业化项目，建成后将新增300吨KrF/ArF光刻胶的生产能力，有效缓解高端光刻胶依赖进口的局面。

2025年我国部分光刻胶项目情况

资料来源：公开资料、观研天下整理（WJ）

当前我国光刻胶关键原材料（单体、树脂等）仍依赖进口，但替代进程已同步启动。例如，八亿时空依托其在液晶材料、电子化学品等领域的深厚积累，组建了专业的光刻胶树脂研发团队，针对KrF光刻胶关键原料进行重点攻关。公司研发的KrF光刻胶用PHS树脂在各项关键指标方面已达到国际先进水平，现已具备KrF光刻胶用树脂全系列的研发生产能力。2025年上半年，公司上虞生产基地的高端光刻胶树脂生产线已建成，这是国内首条百吨级半导体KrF光刻胶树脂高自动化柔性/量产双产线，预计下半年将正式投产并产生千万级销售收入。

总的来看，我国光刻胶行业虽面临国产化率低、核心原材料依赖进口等挑战，但在政策持续护航、技术自主突破、标准体系稳步搭建、产能统筹布局及原材料国产化攻坚等多维度协同推动下，国产替代进入加速阶段。未来随着技术、产能、产业链协同持续突破，行业国产化率有望持续提升，为半导体、显示面板等产业发展提供保障。