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高可靠性存储需求驱动 全球SLC NAND行业开启黄金时代 国产替代迎新风口

TLC、QLC相比,SLC NAND数据密度小写入速度快、擦写寿命长

NAND Flash是非易失性存储的一种,是大容量存储器当前应用最广和最有效的解决方案,可划分为SLC、MLC、TLC、QLC四类。从SLC到QLC,各类NAND的数据密度大大提升,每GB的价格大大降低。但同时,存储位数的增多亦使得产品擦写寿命与可靠性降低。各类产品根据自身特性,分别应用于不同的领域,如TLC、QLC则更偏向个人消费领域,而SLC常应用于对可靠性要求较高的工业、企业领域。

各类NAND存储芯片参数对比

类别 SLC MLC TLC QLC
每个单元位数 1 2 3 4
数据密度 较小 较大
写入速度 较快 较慢 较慢
价格 一般 较低
擦写寿命 约10万次 约3000~1万次 约1000次 仅150次
适合领域 工业/企业 普通消费者/游戏消费者 轻度消费者 数据存储量大的用户

资料来源:观研天下整理

高可靠性存储需求持续拉动,全球SLC NAND市场呈现良好增长态势

SLC NAND(单层单元闪存)是一种每个存储单元仅保存1位数据(0或1)的闪存技术,采用双状态(已擦除/已编程)实现数据存储。受益于端侧AI、汽车电子、工业控制及5G通讯等领域对高可靠性存储需求的持续拉动,全球SLC NAND市场呈现良好增长态势。

SLC NAND(单层单元闪存)是一种每个存储单元仅保存1位数据(0或1)的闪存技术,采用双状态(已擦除/已编程)实现数据存储。受益于端侧AI、汽车电子、工业控制及5G通讯等领域对高可靠性存储需求的持续拉动,全球SLC NAND市场呈现良好增长态势。

数据来源:观研天下数据中心整理

2024年,全球NAND市场规模约656亿美元,其中SLC NAND市场规模为23.2亿美元,2019-2024年期间CAGR为6.8%。端侧AI落地的对存储芯片的容量和性能提出更高需求,推动SLC NAND的用量提升,叠加汽车电子的智能化升级对具备高可靠性、长寿命的存储解决方案需求旺盛,为SLC NAND打开增量空间。预计至2029年,全球SLC NAND市场规模将增长至34.4亿美元,2024-2029年期间CAGR为8.2%。

2024年,全球NAND市场规模约656亿美元,其中SLC NAND市场规模为23.2亿美元,2019-2024年期间CAGR为6.8%。端侧AI落地的对存储芯片的容量和性能提出更高需求,推动SLC NAND的用量提升,叠加汽车电子的智能化升级对具备高可靠性、长寿命的存储解决方案需求旺盛,为SLC NAND打开增量空间。预计至2029年,全球SLC NAND市场规模将增长至34.4亿美元,2024-2029年期间CAGR为8.2%。

数据来源:观研天下数据中心整理

、SLC NAND国内存储厂商主要聚集方向,国产替代进程加快

根据观研报告网发布的《中国SLC NAND行业现状深度分析与发展前景预测报告(2026-2033年)》显示,全球SLC NAND市场份额高度集中于海外及中国台湾厂商。根据数据,2024年全球SLC NAND前三大厂商市场份额合计占比69.4%,其中铠侠占比35.2%,美光占比23.3%,华邦占比10.9%,市场呈现高度集中格局。

全球SLC NAND市场份额高度集中于海外及中国台湾厂商。根据数据,2024年全球SLC NAND前三大厂商市场份额合计占比69.4%,其中铠侠占比35.2%,美光占比23.3%,华邦占比10.9%,市场呈现高度集中格局。

数据来源:观研天下数据中心整理

SLC NAND市场规模占整体NAND份额较小(2024年为4%),可挖掘空间大,伴随近年来海外大厂产能向3D NAND倾斜,SLC NAND业务战略性收缩,SLC NAND成国内存储厂商主要聚集方向。

SLC NAND市场规模占整体NAND份额较小(2024年为4%),可挖掘空间大,伴随近年来海外大厂产能向3D NAND倾斜,SLC NAND业务战略性收缩,SLC NAND成国内存储厂商主要聚集方向。

数据来源:观研天下数据中心整理

SLC NAND迎来国产替代机遇。国内企业中兆易创新产品容量覆盖1Gb~8Gb,采用3V/1.8V两种电压供电,具有高速、高可靠性、低功耗的特点,其中SPI NAND Flash在消费电子、工业、汽车电子等领域已经实现全品类的产品覆盖,市场竞争优势逐渐凸显。根据数据,2024年兆易创新收入排名全球排名第六、内地第一。

兆易创新NAND Flash产品

接口类型

SPI

并行

并行

3V

1.8V

3V

1.8V

容量

1Gb-4Gb

1Gb-4Gb

1Gb-8Gb

1Gb-8Gb

速度

频率:104MHz~166MHz

频率:80MHz~133MHz

tRC/tWC:12ns~20ns

tRC/tWC:20ns~25ns

运行温度范围

-40°C-105°C

-40°C-105°C

-40°C-105°C

-40°C-105°C

资料来源:观研天下整理

资料来源:观研天下整理

数据来源:观研天下数据中心整理(zlj)

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