多因素驱动集成电路热处理设备行业发展 晶圆厂商产能扩产带动市场需求上升

企业名称

产能扩张

技术节点

中芯国际（SMIC）

北京：与亦庄国投合作建设12英寸厂（28nm及以上制程），规划月产能10万片。

技术节点：14nmFinFET技术已量产，但受设备限制难以扩产；重点转向28nm及以上成熟制程（占营收80%以上）。

上海：临港基地投资89亿美元建12英寸厂，聚焦28nm及以上成熟制程，目标月产能10万片。

深圳：与深圳政府合资建厂（28nm及以上），规划月产能4万片。

天津：扩建12英寸厂，新增10万片/月产能（2023年启动）。

华虹半导体

无锡基地：一期12英寸厂（55nm-28nm特色工艺）已满产，月产能9.5万片；二期投资67亿美元扩产，2024年底投产后总产能将达20万片/月。

技术方向：深耕嵌入式存储、功率器件、MCU等特色工艺，避开先进制程竞争。

粤芯半导体（广州）

三期规划：一期（180-90nm模拟芯片）已投产，月产能4万片；二期（55nm-40nm）2023年量产，三期（12英寸12nm）投资162亿元，聚焦车规级芯片。

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积塔半导体（上海）

临港基地：扩产车规级芯片（IGBT、SiC等），目标月产能10万片（12英寸）。

技术特色：专注功率半导体和第三代半导体，适配新能源汽车需求。

长江存储（YMTC）

武汉基地：一期（3DNAND）月产能10万片（128层/232层）；二期原计划扩至30万片/月，但因美国制裁推迟设备采购，产能爬坡放缓。

技术突破：全球首推Xtacking3.0架构（232层NAND），但量产受限。

长鑫存储（CXMT）

合肥基地：一期（19nmDRAM）月产能12万片（等效8英寸）；二期规划176层DRAM技术，2024年产能提升至18万片/月。

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士兰微（SilanMicro）

厦门基地：投资170亿元建12英寸特色工艺产线（功率半导体、MEMS传感器），规划月产能8万片。

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华润微电子（CRMicro）

重庆基地：12英寸产线聚焦功率半导体（MOSFET、IGBT），2025年产能达3万片/月；无锡基地：8英寸产线扩产至13万片/月，主攻BCD工艺和MEMS。

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芯恩半导体（青岛）

产能规划：8英寸厂月产能3万片（模拟/射频芯片），12英寸厂规划5万片/月（28nm及以上逻辑芯片）。

技术路线：中国首个CIDM（共享式IDM）模式，整合设计-制造-应用。