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玻璃基板:AI算力时代先进封装的“新地基”

一、从传统封装到先进封装:玻璃基板的技术优势与产品形态

封装技术从传统封装走向先进封装,本质上是保护、连接、散热三大诉求被不断精细化满足的过程,其中连接密度的持续提升是贯穿整条演进主线的核心矛盾——从引线框架到封装基板、从二维到三维互联。随着芯片制程持续微缩、集成度不断提高,芯片与主板之间出现了日益扩大的尺寸失配。由此,引线框架被封装基板作为载体的形式取代。封装基板为芯片提供支撑、散热和保护,同时为芯片与PCB母板之间提供电子连接,起着承上启下的作用。封装基板产品种类多样,可从基板材质、封装工艺维度加以划分:材质决定其性能与成本档次,封装工艺对应芯片与基板的连接方式。

封装技术从传统封装走向先进封装,本质上是保护、连接、散热三大诉求被不断精细化满足的过程,其中连接密度的持续提升是贯穿整条演进主线的核心矛盾——从引线框架到封装基板、从二维到三维互联。随着芯片制程持续微缩、集成度不断提高,芯片与主板之间出现了日益扩大的尺寸失配。由此,引线框架被封装基板作为载体的形式取代。封装基板为芯片提供支撑、散热和保护,同时为芯片与PCB母板之间提供电子连接,起着承上启下的作用。封装基板产品种类多样,可从基板材质、封装工艺维度加以划分:材质决定其性能与成本档次,封装工艺对应芯片与基板的连接方式。

数据来源:观研天下数据中心整理

玻璃基板是以特种玻璃为基体、经精密加工后承担结构承载、电气互连或光学支撑功能的基础材料。在显示领域,玻璃基板主要用于承载TFT驱动电路和LED器件;在半导体封装领域,按照玻璃是否保留在最终封装内,可进一步分为临时载板和永久功能基板:前者在晶圆级封装(WLP)或面板级封装(PLP)过程中支撑薄晶圆及重构晶圆,封装完成后与器件分离;后者则作为玻璃芯载板或玻璃中介层,通过玻璃通孔(TGV)、重布线层(RDL)及增层结构,实现芯片之间及芯片与PCB之间的电气互连。玻璃基板按照应用领域及玻璃在制造和终端产品中的功能,可分为临时玻璃载板、玻璃芯封装基板、玻璃中介层和显示用玻璃基板四类。

四类玻璃基板的产品形态及功能对比

产品类型 所属领域 玻璃是否保留 核心功能 主要工艺及结构 典型应用
临时玻璃载板 半导体封装 否 支撑芯片贴装、塑封和RDL制备,封装完成后解键合 玻璃切割、倒角、研磨、双面抛光、清洗及检测;使用时配合临时键合和解键合工艺 WLP、FOWLP、PLP及FOPLP
玻璃芯封装基板 半导体封装 是 替代有机芯层,通过高密度垂直互连连接芯片侧和PCB侧线路 TGV成孔、孔壁金属化或铜填充、双面RDL、增层线路、切割及封装组装 AI、HPC等大尺寸FC-BGA封装
玻璃中介层 半导体封装 是 利用RDL实现芯片间横向互连,通过TGV连接上下层封装结构并分配电源 精细RDL、TGV成孔及金属化、芯片贴装;部分方案可在玻璃内形成芯片嵌入腔体 2.5D异构集成、逻辑芯片与存储芯片集成
显示用玻璃基板/玻璃背板 显示 是 承载显示驱动线路和发光器件,形成主动驱动显示背板 玻璃背板制备、驱动线路形成、芯片转移、封装保护及FPC绑定;MiniLED可采用COG路线 TFT显示、MiniLED显示

数据来源:观研天下数据中心整理

目前主流的先进封装基板主要包括有机基板、硅基板(TSV)以及新兴的玻璃基板(TGV)。

传统有机封装基板正逐渐面临各种短板:1)有机材料热膨胀(CTE)系数较高、与硅芯片失配较大,在芯片运行、回流焊等高温场景容易引发翘曲;2)有机材料介电损耗(Df)较高,易导致高频信号衰减、串扰问题;3)有机材料表面较为粗糙,很难支撑更微缩的线宽/线距(L/S)要求;4)有机材料尺寸稳定性较差,大尺寸基板面临挑战。

硅基板工艺复杂,涉及深硅刻蚀、氧化绝缘层制作、晶圆减薄和保持等多道工序,成本相对较高,且在大面积制备时容易出现良率下降;其次,由于硅属于半导体材料,其电学特性导致高频信号在传输过程中与衬底产生强烈的电磁耦合效应,信号完整性表现欠佳,严重限制了其在更高频、更大规模场景下的应用。

主要封装基板材料各项参数对比

参数

TSV基板

有机基板

TGV基板

互连密度与规格

(再布线层RDL)

极小

高

小

最小线宽/线间距(L/S)

0.4mm/0.4mm

6mm/6mm

2mm/2mm

最小通孔直径/mm

5(极小)

32(中等)

10(小)

最小通孔节距/mm

25(极小)

>100(大)

50(小)

电性能

介电常数Dk

(1GHz,25°C)×10⁻⁴

11.7–12.9(较高)*

4.2–4.9(低)

3.3–5.1(低)

介电损耗Df

(1GHz,25°C)×10⁻⁴

50(低)

180(高)

0.2(HPFS7980)/35(AF32eco)(极低)

(10GHz,25°C)×10⁻⁴

150(高)

250(高)

21(SCHOTT®low-loss)极低

绝缘电阻R/(W·cm)

10⁴(低)

≥10⁸(高)

≥10¹²(极高)

热机械性能

CTE/(×10⁻⁶°C⁻¹)

3(与芯片匹配)

>13(与芯片失配严重)

可调,约3–9(匹配芯片/缓冲应力)

热导率/(W·m⁻¹·K⁻¹)

150(高)

<1(低)

~1(低)

杨氏模量/GPa

150(高)

18.9(低)

74.8(高)

尺寸稳定性/翘曲控制

较好(与芯片匹配)

差(CTE失配大)大尺寸面临挑战

优异(CTE可调,刚性高)

工艺与成本

工艺复杂度

高(需绝缘层沉积)

低(成熟PCB工艺)

中等(无需绝缘层)

相对成本

非常高

低

中低(尤其面板级)

尺寸可扩展性

晶圆级(受限:≤300mm)

面板级(成熟)

面板级(潜力巨大:≥500mm)

数据来源:观研天下数据中心整理

根据观研报告网发布的《中国玻璃基板行业现状深度研究与发展前景预测报告(2026-2033年)》显示,人工智能(AI)与高性能计算(HPC)的快速发展,正推动高算力芯片需求呈现爆发式增长。AI训练与推理、数据中心与超算系统对计算密度、内存带宽和能效提出了前所未有的要求,而传统依赖晶体管尺寸缩小的摩尔定律正逐渐放缓,单纯通过先进制程提升性能的路径面临成本、功耗与良率瓶颈。在此背景下,2.5D/3D等先进封装技术成为提升系统级性能的关键手段。通过多芯片(chiplets)与异构集成,先进封装能够在封装层面实现逻辑芯片与高带宽存储(如HBM)、IO与模拟/RF等不同工艺器件的高密度互连,从而显著提升系统带宽、降低互连功耗并缩短信号传输距离。然而,传统有机基板在布线精度、信号完整性和功率完整性方面已难以支撑超高I/O密度需求,而硅中介层则面临制造成本高、尺寸受限、热管理复杂以及应力与良率控制等挑战。玻璃基板凭借其独特的材料与性能优势,成为替代有机载板和硅中介层的理想选择。玻璃基板在AI芯片封装中的应用主要体现在玻璃转接板和玻璃芯载板。

封装转接板和载板对比

类型 转接板 载板
安装位置 位于芯片与封装板之间.,5D或3D封装中的多个芯片之间 构成封装的基础层,用于与PCB进行连接
核心作用 其主要作用是重新分布信号,并管控无法直接布线的精细间距互连 通常由有机层压材料制成(如BT树脂、ABF膜等),某些高可靠性应用则使用陶瓷
连接特性 可以由硅、玻璃或有机材料制成 连接盘间距比转接板大得多一一通过焊球(BGA)将封装连接到PCB
垂直互连特性 对于垂直互连,通常包含TSV 功能上更像“微型PCB”
工艺精度特性 具有极精细间距-可支持数微米级的微凸缘 相对成本较低,可批量生产
应用场景与成本特点 结构更复杂、成本更高(尤其是硅转接板)主要用于高性能计算(HPC、GPU、FPGA及HBM内存集成等应用) 。在几乎所有半导体封装(如CPU、智能手机芯片、内存芯片等)中都是标准结构

数据来源:观研天下数据中心整理

二、玻璃基板产业化图景:产业链结构、应用拓展与市场格局

玻璃基板产业链由上游玻璃原片、加工材料及核心设备,中游玻璃基板制造,下游封装集成及终端应用构成。上游玻璃原片包括低缺陷硼硅玻璃、无碱玻璃及其他特种玻璃,核心指标为热膨胀系数、厚度均匀性、平整度、纯净度及微裂纹控制;中游依次完成玻璃精加工、TGV成孔、孔壁金属化、电镀填铜、表面平坦化、RDL及增层结构制造,形成玻璃临时载板、玻璃芯载板和玻璃中介层;下游由封装载板厂、IDM、晶圆代工厂及OSAT完成芯片贴装、封装互连和可靠性验证,终端应用覆盖AI/HPC、Chiplet、HBM、CPO、射频、MEMS及显示。

玻璃基板产业链由上游玻璃原片、加工材料及核心设备,中游玻璃基板制造,下游封装集成及终端应用构成。上游玻璃原片包括低缺陷硼硅玻璃、无碱玻璃及其他特种玻璃,核心指标为热膨胀系数、厚度均匀性、平整度、纯净度及微裂纹控制;中游依次完成玻璃精加工、TGV成孔、孔壁金属化、电镀填铜、表面平坦化、RDL及增层结构制造,形成玻璃临时载板、玻璃芯载板和玻璃中介层;下游由封装载板厂、IDM、晶圆代工厂及OSAT完成芯片贴装、封装互连和可靠性验证,终端应用覆盖AI/HPC、Chiplet、HBM、CPO、射频、MEMS及显示。

数据来源:观研天下数据中心整理

玻璃基板下游应用由显示扩展至先进封装、光电共封装、射频器件及MEMS。显示领域是玻璃基板的传统应用,玻璃既可承载LCD、OLED的TFT驱动电路和显示功能层,也可作为Mini/MicroLED的主动驱动背板,通过LTPS/TFT线路与COG、COB等工艺承载和驱动LED芯片;半导体封装领域中,凭借高绝缘、低高频损耗和精密微结构加工能力,TGV玻璃还可集成电感、电容、空腔及传感结构,应用于射频前端、玻璃IPD、MEMS及传感器封装。光互联及光计算领域,玻璃可集成光波导、TGV及RDL,作为连接光芯片、计算芯片与光纤接口的光电协同封装平台。

玻璃基板下游应用由显示扩展至先进封装、光电共封装、射频器件及MEMS。显示领域是玻璃基板的传统应用,玻璃既可承载LCD、OLED的TFT驱动电路和显示功能层,也可作为Mini/MicroLED的主动驱动背板,通过LTPS/TFT线路与COG、COB等工艺承载和驱动LED芯片;半导体封装领域中,凭借高绝缘、低高频损耗和精密微结构加工能力,TGV玻璃还可集成电感、电容、空腔及传感结构,应用于射频前端、玻璃IPD、MEMS及传感器封装。光互联及光计算领域,玻璃可集成光波导、TGV及RDL,作为连接光芯片、计算芯片与光纤接口的光电协同封装平台。

数据来源:观研天下数据中心整理

相较有机载板,玻璃基板新增TGV成孔、玻璃—金属界面处理及深孔填铜等工序,量产壁垒集中于微孔一致性、种子层连续性、铜玻璃结合力、无空洞填孔、精细线路及大尺寸面板良率;产业验证及产线建设阶段:激光、电镀、PVD、光刻、CMP、检测设备与功能性湿电子化学品有望率先体现验证和订单进展。

玻璃基板制造领域,制造与加工工艺是核心环节,国外主要有康宁、三星、LG以及AGC等巨头公司。美国康宁(Corning)为玻璃基板行业绝对龙头,全球市场份额占比高达46.91%;旭硝子(AGC)、电气硝子(NEG)、东旭光电紧随其后,占比分别为22.67%、18.12%、9.05%。国内的京东方、沃格光电等是目前少数掌握TGV技术的企业,在玻璃薄化、双面镀铜以及微电路图形化技术方面具有行业领先地位。国内厂商厦门云天半导体也开发了先进TGV激光刻蚀技术。

玻璃基板制造领域,制造与加工工艺是核心环节,国外主要有康宁、三星、LG以及AGC等巨头公司。美国康宁(Corning)为玻璃基板行业绝对龙头,全球市场份额占比高达46.91%;旭硝子(AGC)、电气硝子(NEG)、东旭光电紧随其后,占比分别为22.67%、18.12%、9.05%。国内的京东方、沃格光电等是目前少数掌握TGV技术的企业,在玻璃薄化、双面镀铜以及微电路图形化技术方面具有行业领先地位。国内厂商厦门云天半导体也开发了先进TGV激光刻蚀技术。

数据来源:观研天下数据中心整理(zpp)

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